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相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程（ｐｒｏｇｒａｍ）为非晶态的复...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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