在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统技术方案

本发明专利技术涉及在电子模块的Ｆｌａｓｈ型存储器中进行写入的方法。本方法包括将所述存储器的至少两个物理区域（叫做“镜像区域”）与相同逻辑区域关联，在所述逻辑区域进行写入的过程中，在其中一个所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程；在方便的时间在单一操作中擦除所使用的所有镜像区域的内容。本发明专利技术还涉及其中实现了本方法的智能卡。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在诸如机载系统之类的电子组件的非易失性存储器中进行写入的方法。准确地说，本专利技术的目的是提出一种方法，优化在这种类型的存储器中进行写入的时间。本专利技术还涉及实施这种方法的机载系统。本专利技术特别可以应用于智能卡。在本专利技术的上下文中，术语“机载系统”必须从其广义的意义上来理解。它具体涉及各种类型的配备有电子芯片的轻型终端，特别涉及智能卡等等。电子芯片本身配备有信息处理装置(例如，微处理器)和信息存储装置。
技术介绍
在机载系统的非易失性存储器中写入永久数据一般包括所述存储器的擦除/编程步骤的系列。擦除包括将特定区域(叫做“块”或“页面”)的所有存储器单元切换到“低”状态(下文称为“0”)。编程包括只将所述特定区域的一部分切换到“高”状态(写入“1”)。写入包括擦除某一个区域并在所述区域中对适当的位进行编程。在当前卡中，非易失性存储器使用EEPROM技术。EEPROM存储器中的写入操作非常慢，大约4ms。擦除和编程时间类似，大约为写入时间的一半，即，大致为2ms。因此，由在存储器中的写入所产生的延迟掩盖了处理器的真正的性能。当前，在智能卡中出现了一种新的非易失性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在电子模块的Ｆｌａｓｈ型存储器中进行写入的方法，其特征在于包括，将所述存储器的叫做“镜像区域”的至少两个物理区域与相同逻辑区域关联，在所述逻辑区域中进行写入的过程中，在其中一个叫做“有效区域”的所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程。

【技术特征摘要】
EP 2002-6-28 02291626.61-一种在电子模块的Flash型存储器中进行写入的方法，其特征在于包括，将所述存储器的叫做“镜像区域”的至少两个物理区域与相同逻辑区域关联，在所述逻辑区域中进行写入的过程中，在其中一个叫做“有效区域”的所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程。2-根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括，在方便的时间在单一操作中擦除所使用的所有镜像区域的内容。3-根据权利要求2所述的方法，其特征在于包括，在不活动期间或当所有镜像物理区域都在使用时执行擦除。4-根据权利要求1到3中的一个权利要求所述的方法，其特征在于，包括将活动物理区域复制到缓冲区中，以及擦除所有镜像物理区域和将缓冲区复制到可用的第一区域中。5-根据权利要求1到3中的一个权利要求所述的方法，其特征在于包括，并行地执行擦除和编程/读取操作，而不会阻塞系统。6-根据权利要求5所述的方法，其特征在于包括，在双存储体存储器并行地执行擦除和编程/读取操作，每一个存储体都具有镜像区域，当一个存储体被擦除时，另一个存储体用于编程/读取，当用于进行编程/...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗斯莱盖林，劳伦特加斯蒂罗，
申请(专利权)人：艾斯奥托公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]