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在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统技术方案
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下载在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统的技术资料
文档序号:3084628
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本发明涉及在电子模块的Flash型存储器中进行写入的方法。本方法包括将所述存储器的至少两个物理区域(叫做“镜像区域”)与相同逻辑区域关联,在所述逻辑区域进行写入的过程中,在其中一个所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程;在方便的时间...
该专利属于艾斯奥托公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾斯奥托公司授权不得商用。
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