降低聚合物存储器中写干扰的影响制造技术

通过在读取之后以一种抵消对于与寻址位相关的位线中比特的极性的任何影响的方式写回数据，可降低在聚合物存储器中出现的写干扰。例如，每次写回数据时，它的极性可以交替改变。在另一个实施例中，可随机改变极性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
背景本专利技术一般来讲涉及聚合物存储器。在聚合物存储器中，聚合物的极化可通过改变施加到该聚合物上的电压来改变。行和列或位线的阵列可相互横向设置，其中在行和列之间在各行线/列线交叉点处有聚合物材料。各行和列的交叉点定义单个存储元件、即“像素”。可组合聚合物存储器层的任何数量的堆叠，从而提高存储器容量。聚合物存储器又称作薄膜电子存储器和铁电聚合物随机存取存储器。一般来讲，存储器像素的极化是在施加适当电压时实现的。但是，在写入给定单元的过程中，相同位或列线上的未寻址位具有低于用来实现像素的预期极化的常规电压的电压。这个电压称作写干扰电压。干扰电压可以是正极性也可以是负极性的。对于因少量写入序列而出现的少量施加的干扰电压，未寻址像素保持其几乎全部预计的极化。但是，如果出现影响相同的未寻址位的大量写入，以及如果那些写入都具有相同极性，则未寻址位的极化会降低到破坏其内容的程度。这可能会导致位错误。此问题在聚合物存储器中更为严重，因为聚合物存储器的读操作是破坏性的。因此，在每个读操作之后，数据被写回到相同的存储单元。由于每次读取之后的这些重复写入的副作用，阵列中的相同位线上的相邻位可能具有干扰电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从聚合物存储器中读取数据的方法，包括：　　　　从聚合物存储器中读取数据；　　　　在读取所述数据之后，把所述数据写回到所述存储器；以及　　　　改变在读取所述数据之后写回的所述数据的极性。

【技术特征摘要】
US 2002-9-27 10/256,6791.一种从聚合物存储器中读取数据的方法，包括从聚合物存储器中读取数据；在读取所述数据之后，把所述数据写回到所述存储器；以及改变在读取所述数据之后写回的所述数据的极性。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变写回的所述数据的所述极性包括在写回所述数据时改变所述极性。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变在读取所述数据之后写回的所述数据的所述极性包括随机改变在读取所述数据之后写回的所述数据的所述极性。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于包括设置极性位，从而指明读取之后写回的所述数据的所述极性。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于包括在改变写回的所述数据的所述极性时，重复改变所述极性位的极性。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于包括把所述极性位存储在所述聚合物存储器中。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变在读取所述数据之后写回的所述数据的所述极性包括确定关于数据已被写回所述存储器中的次数的信息。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于包括利用所述信息来确定是否把数据自动写回到所述存储器中以纠正任何写干扰。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于包括在预定的写回次数之后自动写回第一极性和第二极性的数据。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述预定的写回次数是相同极性的写回的预定次数。11.一种聚合物存储器，包括存储器阵列；以及改变写入所述阵列中的数据的极性的装置。12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，在读取所述阵列中的数据之后，当写回所述数据时，所述装置重复改变所述极性。13.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述装置随机地改变在读取所述阵列中的数据之后写回的所述数据的所述极性。14.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储器存储极性位，从而指明读取之后写回的数据的极性。15.如权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述装置在改变写回的所述数据的极性时改变所述极性位的极性。16.如权利要求15所述的存储器，其特征在于，所述装置把极性位存储在所述阵列中。17.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述装置在预定的写回次数之后自动产生单极干扰。18.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述装置在预定的写回次数之后产生两个相反极性的单极干扰。19.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述装置对写回次数进行计数。20.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述装置在给定的写回次数之后自动产生第一极性的全局干扰以及相反极性的全局干扰。21.一种把数据写到聚合物存储器的方法，包括把数据写回到聚合物存储器阵列；以及定期刷新所述聚合物存储器阵列中的像素。22.如权利要求21所述的方法，其特征在于包括对数据写回到所述阵列的次数的指示进行计数。23.如权利要求22所述的方法，其特征在于包括对数据写回的次数进行计数。24.如权利要求22所述的方法，其特征在于包括对读取所述存储器阵列的次数进行计数。25.如权利要求22所述的方法，其特征在于包括当写回次数的指示达到预定数量时，自动刷新所述阵列。26.如权利要求25所述的方法，其特征在于包括当写回次数的指示超过预定数量时，通过刷新单个像素来自动刷新所述阵列。27.如权利要求26所述的方法，其特征在于包括响应写回次数超过预定数量的指示而刷新不同的像素。28.如权利要求27所述的方法，其特征在于包括响应写回次数超过预定数量的指示而将指针加1，从而相继地刷新所述阵列中的基本上所有像素。29.如权利要求28所述的方法，其特征在于包括在刷新像素时将刷新单元指针加1。30.如权利要求29所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：R库尔森，J吕克，R法伯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]