可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法技术

本发明专利技术提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器（ＰＣＲＡＭ）单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及集成存储电路。更具体来讲，它涉及用于把数据写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元的方法。2.先有技术的说明DRAM集成电路阵列已经存在了三十年以上，通过半导体制造技术和电路设计技术的进步，已经实现了它们在存储容量上的显著增加。这两种技术的极大进步也实现了越来越高的集成度，这允许显著减小存储阵列尺寸和成本，以及增加加工产量。作为基本元件，DRAM存储单元通常包括存取晶体管(开关)和电容器，用于存储电荷形式的二进制数据比特。一种极性的电荷通常存储在电容器中以表示逻辑“高”(例如二进制“1”)，而相反极性的存储电荷表示逻辑“低”(例如二进制“0”)。DRAM的基本缺陷在于，电容器中的电荷最终会泄漏，必须采取预防措施来“刷新”电容器电荷，否则存储单元所存储的数据比特会丢失。另一方面，作为基本元件，传统SRAM的存储单元包括一个或多个存取晶体管以及经过互连而用作双稳锁存器的两个或两个以上集成电路器件形式的存储元件。这种双稳锁存器的一个实例是一对交叉耦合反相器。双稳锁存器不需要象DRAM存储单元那样被“刷新”，只要它们持续接收电源电压，便会长时期可靠地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于写入存储元件的方法，所述方法包括：把导体预充电为第一电压值，所述第一电压通过与所述导体相关的电容保持在所述导体上；把可编程导体存储元件耦合在所述导体上的所述第一电压与第二电压之间，以便在所述存储元件中写入预定阻态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-12-20 10/022,7221.一种用于写入存储元件的方法，所述方法包括把导体预充电为第一电压值，所述第一电压通过与所述导体相关的电容保持在所述导体上；把可编程导体存储元件耦合在所述导体上的所述第一电压与第二电压之间，以便在所述存储元件中写入预定阻态。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压高于所述第二电压，以便在所述存储元件中写入预定阻态。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压低于所述第二电压，以便在所述存储元件中写入预定阻态。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相关电容包括所述导体的寄生电容。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相关电容包括耦合到所述导体的电容器。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相关电容包括所述导体的寄生电容以及耦合到所述导体的电容器。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可编程导体存储元件通过启用存取晶体管耦合到所述导体。8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一电压为或者约为Vdd，而所述第二电压为Vdd/2。9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电压为地电压，而所述第二电压为或者约为Vdd/2。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导体是与所述存储元件相关的位线。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储元件包括硫属玻璃存储元件。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硫属玻璃存储元件包括掺杂了银的锗:硒玻璃成分。13.一种用于写入半导体存储单元的方法，所述方法包括把第一预定电压施加到可编程导体存储元件的第一端子；把所述存储单元所属的存储器阵列的位线充电为第二预定电压，所述位线具有贮存所述第二预定电压的寄生电容；把第三预定电压施加到晶体管的栅极，以便启用所述晶体管以及把所述位线耦合到所述可编程导体存储元件的第二端子；以及在所述晶体管被启用时采用所述存储元件两端的电压来建立所述存储元件的阻态。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二预定电压大于所述第一预定电压。15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一预定电压大于所述第二预定电压。16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述存储元件两端的所述电压通过所述存储元件放电，以便建立所述阻态。17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一预定电压为或者约为Vdd/2，而所述第二预定电压为或者约为Vdd。18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一预定电压为或者约为Vdd/2，而所述第二预定电压为或者约为地电压。19.如权利要求13所述的方法，其特征在于，施加第一预定电压的所述操作包括把与所述第一端子耦合的单元板耦合到所述第一预定电压的源。20.如权利要求13所述的方法，其特征在于还包括有选择地把至少一个电容器耦合到所述位线以贮存所述第二预定电压的步骤。21.如权利要求20所述的方法，其特征在于还包括使晶体管能够有选择地把至少一个电容器耦合到所述位线。22.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述寄生电容具有大约500fF的值。23.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述可编程导体存储元件包括硫属玻璃。24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述硫属玻璃包括掺杂了银的Ge:Se玻璃成分。25.一种操作存储单元的方法，所述方法包括把位线预充电为第一电压；把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子；以及把所述硫属存储元件的第二端子连接到所述位线，以便在所述存储元件两端产生足以把预定阻态写入所述存储元件的电压。26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述第二电压大于所述第一电压。27.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述第一电压大于所述第二电压。28.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述第一电压通过寄生电容保持在所述位线上。29.如权利要求25所述的方法，其特征在于还包括有选择地把至少一个电容器耦合到所述位线，以便接收和贮存所述第一电压。30.如权利要求29所述的方法，其特征在于还包括操作晶体管以有选择地把所述至少一个电容器耦合到所述位线。31.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述位线具有大约500fF的寄生电容。32.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述硫属存储元件包括掺杂了银的Ge:Se玻璃成分。33.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述连接还包括使晶体管能够把所述第二端子连接到所述位线。34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，所述晶体管由施加到所述晶体管的栅极的字线电压来启用。35.一种存储器结构，包括具有相关电容的导体；预充电电路，用于把所述导体预充电为第一电压，所述第一电压通过所述相关电容保持在所述导体上；可编程导体存储元件，具有连接到第二电压的一个端子；以及存取器件，用于有选择地把所述存储元件的第二端子耦合到所述导体，所述存取器件使所述第一和第二电压能够在所述可编程元件上建立足以把所述存储元件编程为高或低阻态之一的电压。36.如权利要求35所述的存储器结构，其特征在于，所述存取器件为晶体管。37.如权利要求35所述的存储器结构，其特征在于，所述预充电电路提供第一值作为所述第一电压，以便把高阻态编程到所述存储元件中，以及提供第二值作为所述第一电压，以便把低阻态编程到所述存储元件中。38.如权利要求37所述的存储器结构，其特征在于，所述第一值为或者约为Vdd，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：G哈斯，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]