【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的涉及非易失性存储器器件,具体地,本专利技术涉及同步非易失性快闪存 储器。
技术介绍
存储器器件典型地被提供用作为计算机中的内部存储区域。术语存储器表示具有 集成电路芯片形式的数据存储。存储器具有几种不同的类型。一种类型是RAM(随机存取 存储器)。这典型地被用作为计算机环境下的主存储器。RAM是指读出和写入存储器,也就 是,可以把数据写入到RAM和从RAM读出数据。这是与ROM不同的,ROM只允许读出数据。 大多数RAM是易失性的,这意味着它需要稳定的电流来保持它的内容,只要电源被去激活, 在RAM中无论什么数据都被丢失。计算机几乎总是包含小量的只读存储器(ROM),它保存用于激活计算机的指令。与 RAM不同,ROM不能被写入。EEPROM(电可擦可编程只读存储器)是一种特殊类型的非易失 性ROM,它可以通过把它暴露在电荷中而被擦除。像其他类型的ROM—样,EEPROM传统上没 有RAM那样快。EEPROM包括很大数目的、具有电隔离的栅极(浮动栅)的存储单元。数据 是以浮动栅上的电荷的形式被存储在存储单元的。通过编程和擦除操作,电荷分别被输送 到浮 ...
【技术保护点】
一种操作存储器器件的方法,包括:为所述存储器器件设置脉冲串长度;为所述存储器器件设置时钟等待时间周期,以及响应于在写操作期间接收的读寄存器命令控制来自寄存器的数据输出。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:FF鲁帕瓦尔,
申请(专利权)人:微米技术有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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