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本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器（ＰＣＲＡＭ）单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻...
该专利属于微米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术有限公司授权不得商用。

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