存储器结构制造技术

一种存储器结构包括第一电极（３５、１３５、２３５、３３５、４３５、５３５、６３５、７４３）、第二电极（３９、１３９、２３９ａ、２３９ｂ、３３９ａ、３３９ｂ、４３９ａ、４３９ｂ、５３９ａ、５３９ｂ、６３９ａ、６３９ｂ、７３５）、第三电极（４３、１３３、２３３、３３３、３４１、４３３、４４１、５３３、６３３、６４１、７３９）、一个被放置在所述第一电极和所述第二电极之间的控制元件（２５）、以及一个被放置在所述第二电极和所述第三电极之间的存储器存储元件（２３）。通过至少所述第一电极、第二电极及第三电极中的一个，至少所述控制元件和所述存储器存储元件之一被保护以免受污染。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种存储器结构。
技术介绍
随着计算机和其它电装置的价格不断下降，存储装置如存储器及硬盘驱动器的制造商被迫使降低其元件的成本。与此同时，计算机、视频游戏、电视机及其它电装置的市场正需要不断增加的较大存储量来存储图像、照片、视频、电影、音乐和其它存储密集型数据。因此，除了降低成本以外，存储装置的制造商还必须增加其装置的存储密度。存储器的存储可以按照各种不同的存储器技术如软盘驱动器、硬盘驱动器、光学驱动器及半导体存储器来实现。利用集成电路工艺可以实现半导体存储器，并且考虑集成电路工艺是避免将降低成品率这一污染的需求。从而存在一种可以高效地被制造出来的半导体存储器结构的需要。附图的简要说明当结合附图来阅读时，根据下述详细说明，本公开内容的特点及优点将很容易地被本领域的普通技术人员所理解，其中附图说明图1是一个交叉点存储器阵列实施例的示意图，其中所公开的存储器单元结构可以被采用。图2是一个存储器单元的示意性方框图，所述存储器单元包括一个存储器存储元件及一个存储器存储元件的控制元件。图3和4是示意性描述存储器结构实施例的断面图，其中所述存储器结构包括一个被放置在半导体和导电阱基座之间的埋入式存储器存储元件。图5是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图6是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导电块和导电阱一侧面之间的埋入式存储器存储元件。图7是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图8是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导体板一边缘与导电柱之间的埋入式存储器存储元件。图9是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图10是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导体板一边缘与导电阱之间的埋入式存储器存储元件。图11是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图12是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导体板一边缘与导电阱之间的埋入式存储器存储元件。图13是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图14是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导体板一边缘与导电柱之间的埋入式存储器存储元件。图15是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图16是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在导体板一边缘与导电阱之间的埋入式存储器存储元件。图17是示意性描述一个存储器结构实施例的断面图且图18是其平面图，所述存储器结构包括一个被放置在被截断的导电锥的轮缘与导电帽之间的埋入式存储器存储元件。图19是一个存储器载体实施例的示意性方框图，所述存储器载体结合有至少一个所公开的存储器单元。图20是一个电子装置如计算机系统的实施例示意性方框图，所述电子装置结合有至少一个所公开的存储器单元。图21是可以用来实现所公开存储器结构的基本步骤实施例的流程图。优选实施例详细说明图1是一个交叉点存储器阵列10实施例的简化示意图，在所述阵列中可以采用所公开的存储器单元结构。所述存储器设置10包括行选择导体线R0、R1、R2及列选择导体线C0、C1、C2。存储器单元20被连接在每个行选择导体线R0、R1、R2和每个列选择导体线C0、C1、C2之间。应该理解到为方便起见行选择导体线和列选择导体线被称为“行”及“列”术语，并且在实际实施中存储器单元20并没有必要一定被实际设置在行和列。每个存储器单元基本上由可以由以不同方法被定向的第一选择线及第二选择线进行唯一性地存取或选择。此外，列线并没有必要与行线为正交，但是为了便于理解被示例为正交方式。图2是存储器单元20实施例的一个简化电方框图，所述存储器单元20包括一个通过电极E2被电连接到控制元件25的存储器存储元件23。所述存储器存储元件23和控制元件25被串联在电极E1和电极E3之间。所述电极E1-E3是如导体、导电区或其它导电特点的导电元件，且它应该被理解为电极E2可以由一个或多个电导性的元件而形成。更具体地，所述存储器存储元件被配置成与控制元件相比在较低的能量级下被可预测地且可靠地断裂，而控制隧道结区作为存储器的控制元件更具体地被配置成用于持续的操作。因此，存储器存储元件23较控制元件25在较低的能量级下改变状态，这允许存储器存储元件被编程。按照这一方法，通过选择性地为所述单元提供足够的能量以使存储器存储元件断裂，存储器单元得到编程。通过向存储器单元提供较小量的能量并且感测是否电流通过存储器单元，则存储器单元被读取。所述存储器存储元件23可以是一个抗熔断的装置，如一个可编程的隧道结装置。所述抗熔断装置既可以是一个电介质绝缘击穿类型的装置也可以是隧道结装置。所述隧道结可以由被氧化的金属、热生长的氧化物或被淀积的氧化物或氮化物所形成。存储器存储元件还可能以半导体材料如多硅、多晶硅、非晶硅、微晶硅、金属灯丝电迁移、俘获感应的(trap-induced)迟滞、铁电电容器、霍尔效应以及多硅电阻器来体现。存储器存储元件的其它实施例包括隧道磁阻(magneto-resistive)式或电容式元件如浮动栅。另外，存储器存储元件可以是一个只读LeComber或硅化物开关或一个包括写-抹去-写相位变化材料的可重写相位变化材料。存储器存储元件还可以是一个PIN二极管或一个肖特基二极管。所述控制元件25可以是一个隧道结装置或PN、PIN或肖特基二极管。可以使用的其它二极管包括齐纳二极管、雪崩二极管、隧道二极管及四层二极管如可控硅整流器。同样，控制元件25可以是一个结场效应或双极晶体管。控制元件25的大小足够承载一个适当的电流，以便于存储元件23的状态可以被改变。当控制元件是一个二极管时，它可以利用所掺杂的多硅、非晶硅、或微晶硅来形成。为了便于讨论，通过示例的实例形式，所公开的存储器结构被说明成采用隧道结装置作为存储器存储元件和控制元件，并且应该理解到存储器存储元件和控制元件可以如上所述被实施。通过示例的实例方式，所公开的存储器结构被示意性地描述为集成电路，所述集成电路包括提供集成电路各种结构之间支撑及绝缘的层间电介质如二氧化硅、氮化硅或TEOS(tetraethylorthosilicate)。所述ILD可以利用几个不同的技术如化学蒸发淀积(CVD)、大气压力CVD、低压CVD、等离子加强的CVD、物理蒸发淀积(PVD)及真空镀膜进行淀积。为了方便起见，这种电介质的区域及层通过参考标志ILD在图中被标识。在所公开的存储结构中，至少存储器存储元件23和控制元件25中的一个被埋入或未被蚀刻，因为这种元件没有经受进一步的处理如蚀刻而得以形成。例如，所埋入的元件可以被形成在电极上而没有被蚀刻，并且被另一个电极盖在顶上、覆盖或埋入，所述另一电极完全覆盖所述被埋入元件，并且可以例如延伸出所述埋入元件周界的部分。通过这种方式，后面所形成的覆盖电极在随后的处理期间以及完成制造之后保护所述被埋入元件免受污染。在进一步的处理期间，让保护性电极予以保护，在制造存储器结构时可以提高收得率。通过具体实例的方法，在制造存储器结构过程中，其中形成被埋入或被覆盖元件的层没有被蚀刻。同样，所埋入的元件可以被更具体地加以配置，以便于它可以被覆盖有或上面盖有一个电极，在所述电极被淀积之前所述埋入元件没有被蚀刻。图3和4示意性地描述了一个存储器结构的实施例，所述存储器结构包括多个存储器单元，每个存储器单元包括一个存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器结构包括：第一电极（３５、１３５、２３５、３３５、４３５、５３５、６３５、７４３）；第二电极（３９、１３９、２３９ａ、２３９ｂ、３３９ａ、３３９ｂ、４３９ａ、４３９ｂ、５３９ａ、５３９ｂ、６３９ａ、６３９ｂ、７３５）； 第三电极（４３、１３３、２３３、３３３、３４１、４３３、４４１、５３３、６３３、６４１、７３９）；被放置在所述第三电极和所述第二电极之间的存储器存储元件（２３）；被放置在所述第二电极和所述第一电极之间的控制元件（２５）；以及其中 通过至少所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极中的一个，至少所述存储器存储元件和所述控制元件之一被保护以免受污染。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-4-2 10/1157441.一种存储器结构包括第一电极(35、135、235、335、435、535、635、743)；第二电极(39、139、239a、239b、339a、339b、439a、439b、539a、539b、639a、639b、735)；第三电极(43、133、233、333、341、433、441、533、633、641、739)；被放置在所述第三电极和所述第二电极之间的存储器存储元件(23)；被放置在所述第二电极和所述第一电极之间的控制元件(25)；以及其中通过至少所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极中的一个，至少所述存储器存储元件和所述控制元件之一被保护以免受污染。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第三电极包括具有垂直范围的导电结构。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第三电极包括导电槽。4.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第三电极包括导电柱。5.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第三电极包括被截断的导电锥。6.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二电极包括导电板。7.根据权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二电极包括导电槽。8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的存储器结构，其中所述存储器存储元件包括隧道结装置。9.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的存储器结构，其中所述存储器存储元件包括一个所述第二电极的氧化物。10.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的存储器结构，其中所述存储器存储元件包括一个不...

【专利技术属性】
技术研发人员：P弗里克，A科尔，DM拉扎罗夫，AL范布罗克林，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]