铁电存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有多个存储单元的ＦｅＲＡＭ装置，其每一存储单元具有一只选择晶体管（２，３）和一只包含铁电介质的电容器件。该电容器件由至少两只电容器（Ｃ１，Ｃ２）组成，其矫顽电压（ＶＣ１，ＶＣ２）彼此不同。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有多个存储单元的FeRAM(铁电随机存取存储器或铁电写读存储器)装置，其每一存储单元具有一只选择晶体管和一只包含电介质的存储电容器件。众所周知在FeRAM装置内信息通过存储单元的存储电容器的铁电介质的极化储存。这时利用铁电介质具有磁滞，所以在加电压时，相当于存在的两种极化状态的“零”信息可以长时间储存。为了转换极化并因此把信息从一状态转换为另一状态，必须在电容器上加所谓矫顽电压Vc的一定的最小电压。通常，力图用尽可能低的占有空间/存储单元制造存储器装置。所以本专利技术的任务是提供FeRAM装置，其中为了储存一比特需要尽可能小的空间。在本文开始提到的类型的FeRAM装置中，本任务通过由至少两只电容器组成的电容器件解决，其矫顽电压彼此不同。因此本专利技术采用与迄今为止的传统技术完全偏离的方法代替由选择晶体管和(存储)电容器组成的FeRAM存储单元通过一定的技术措施实现尽可能小，如本来所期待的那样，对每一只晶体管安排多只电容器。如果一个存储单元例如具有一只选择晶体管和两只电容器，则它可以存储两比特。与由一只选择晶体管和一只电容器组成的、能储存一比特的传统的存储单元相比本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有多个存储单元的ＦｅＲＡＭ装置，其每一存储单元具有一只选择晶体管（２，３）和一只具有铁电介质的电容器件，其特征为，电容器件由至少两只电容器（Ｃ１，Ｃ２）组成，其矫顽电压彼此不同。

【技术特征摘要】
DE 1998-7-8 19830569.91．具有多个存储单元的FeRAM装置，其每一存储单元具有一只选择晶体管(2,3)和一只具有铁电介质的电容器件，其特征为，电容器件由至少两只电容器(C1,C2)组成，其矫顽电压彼此不同。2．根据权利要求1所述的FeRAM装置，其特征为，电容器(C1,C2)的介质(6,7)由不同材料构成。3．根据权利要求1所述的FeRAM装置，其特征为，电容器(C1,C2)的介质(6,7)具有彼此不同的层厚。4．根据权利要求2所述的FeRAM装置，其特征为，电容器(C1,C2)的介质(6,7)由SrBi2Ta2O9(SBT),SrBi2(Ta1-xNbx)2O9(SBTN)或其它SBT衍生物，PbZr1-xTixO3(PZT)或PbZr1-xTixLayO3构成。5．根据权利要求2到4之一所述的FeRAM装置，其特征为，介质(6,7)的层...

【专利技术属性】
技术研发人员：F欣特迈尔，G辛德勒尔，W哈特纳，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]