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每个存储器电容Ｃ的一个电极经所属的选择晶体管Ｔ与位线ＢＬｉ之一相连，并且其另一个电极与片状分段ＰＬＡ，ＰＬＢ；ＰＬＣ，ＰＬＤ之一相连。其中的每个选择晶体管Ｔ的一个控制端与字线ＷＬｉ之一相连。在一个正常工作方式中，对所述存储单元ＭＣ进行存取时...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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