【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储器单元装置及其操作方法。更具体地讲,本专利技术涉及这样的存储器装置:在该存储器装置中存储器阵列被分段,使得在任何指定的时间,仅仅字的片段被写入该阵列。
技术介绍
非易失性存储器单元在本领域中是熟知的。一种现有技术的非易失性存储器单元10在图1中示出。存储器单元10包括第一导电类型(诸如P型)的半导体衬底12。衬底12具有在其上形成第二导电类型(诸如N型)的第一区14(也称为源极线SL)的表面。同为N型的第二区16(也称为漏极线)形成在衬底12的该表面上。沟道区18位于第一区14和第二区16之间。位线(BL) 20连接至第二区16。字线(WL) 22(也称为选择栅或行线)定位在沟道区18的第一部分上方并与其绝缘。字线22几乎不与或完全不与第二区16重叠。浮栅(FG) 24位于沟道区18的另一部分上方。浮栅24与该另一部分绝缘,并与字线22相邻。浮栅24还与第一区14相邻。耦合栅(CG) 26(也称为控制栅)位于浮栅24上方并与其绝缘。擦除栅(EG) 28位于第一区14上方并与浮栅24和耦合栅26相邻,且与该浮栅和该耦合栅绝缘。擦除栅28也与第一区14绝缘。单元10在USP 7,868,375中进行了更为具体的描述,USP 7,868,375的公开内容的全文以引用方式并入本文。用于擦除和编程的一种示例性操作如下所述。通过福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)隧穿机制对单元10进行擦除,方法是在擦除栅28上施加高电压并且其它端子等于零伏。电子从浮栅24隧穿进入擦除栅28,使得浮栅24带正电,从 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器装置,包括:非易失性存储器单元的N个平面,其中N为大于1的整数,其中非易失性存储器单元的每个平面包括按行和列配置的多个存储器单元,并且其中所述N个平面中的每个包括栅线,所述栅线跨过所述N个平面中的所述存储器单元的行来延伸,但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面中的其它平面;控制器,所述控制器被配置为: 将多个数据字中的每个分成N个分段字,并且 将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.15 US 13/6524471.一种非易失性存储器装置,包括:
非易失性存储器单元的N个平面,其中N为大于1的整数,其中非易失性存储器单元的每个平面包括按行和列配置的多个存储器单元,并且其中所述N个平面中的每个包括栅线,所述栅线跨过所述N个平面中的所述存储器单元的行来延伸,但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面中的其它平面;
控制器,所述控制器被配置为:
将多个数据字中的每个分成N个分段字,并且
将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中用于将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中的控制器配置还包括:
将所述多个数据字中的每个的所述N个分段字中的第一分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中的第一平面中;并且然后
将所述多个数据字中的每个的所述N个分段字中的第二分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中的第二平面中。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中用于将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中的控制器配置还包括:
将针对所述多个数据字中的第一数据字的所述N个分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中;并且然后
将针对所述多个数据字中的第二数据字的所述N个分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:
电荷泵,所述电荷泵被配置为在任何给定的时间为非易失性存储器单元的N个平面的仅一个中的一根或多根栅线选择性地提供电压。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:
用于为栅线选择性地提供电压的电荷泵,其中所述控制器被配置为控制所述电荷泵以在任何指定的时间为非易失性存储器单元的所述N个平面的仅一个中的一根或多根栅线选择性地提供电压。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中非易失性存储器单元的N个平面中的每个还包括:
与其紧邻的源极线解码器电路。
7.一种操作非易失性存储器装置的方法,所述非易失性存储器装置包括非易失性存储器单元的N个平面,其中N为大于1的整数,其中非易失性存储器单元的每个平面包括按行和列配置的多个存储器单元,并且其中所述N个平面中的每个包括栅线,所述栅线跨过所述N个平面中的所述存储器单元的行来延伸,但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面中的其它平面,所述方法包括:
将多个数据字中的每个分成N个分段字;以及
将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述编程还包括:
将针对所述多个数据字中的每个的所述N个分段字中的第一分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中的第一平面中;并且然后
将针对所述多个数据字中的每个的所述N个分段字中的第二分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中的第二平面中。
9.根据权利要求7所述的方法,其中所述编程还包括:
将针对所述多个数据字中的第一数据字的所述N个分段字编程到非易失性存储器单元的N个平面中;并且然后
将针对所述多个数据字中的第二数据...
【专利技术属性】
技术研发人员:HV特兰,A利,T吴,HQ吴,
申请(专利权)人:硅存储技术公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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