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非易失性存储器装置包括非易失性存储器单元的N个平面(102a,102b)（其中N为大于1的整数）。非易失性存储器单元(10)的每个平面包括按行(22)和列(20)配置的多个存储器单元。所述N个平面中的每个均包括栅线(26,14,28)，所述...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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