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带有存储单元和基准单元的集成式存储器制造技术
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下载带有存储单元和基准单元的集成式存储器的技术资料
文档序号:3086908
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存储单元(MC)设置在字线(WLi)和位线(BL,/BL)交叉点上。包括设置在至少一个第一基准字线(RWL1,RWL1’)和位线(BL,/BL)交叉点上的第一基准单元(RC1),并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元(MC)前用于...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。
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