A semiconductor device includes an output transistor, the transistor connected in parallel to the detection, and detection of the output transistor transistor connected in series to detect resistance, and overcurrent protection transistor, the output current flowing through the transistor is used to control the first and second ends, the detection resistor for detecting a current flowing through the transistor is detected as the detection voltage and potential the resistance is set with a first end and a second end is proportional to the difference, the overcurrent protection transistor is used to increase the detection according to the voltage to reduce the output transistor and transistor turn-on current detection.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种具有负载短路保护功能的半导体器件。
技术介绍
随着技术的当前进展，实际应用具有过电流保护功能的半导体器件，该功能用于避免半导体器件受到负载短路时流过的过电流。该过电流保护功能用于在诸如负载短路这样的异常发生时，通过控制流过半导体器件的电流来抑制半导体器件的功耗并保护半导体器件不被击穿。图10示出了美国专利公报No.4553084中公开的常规半导体器件的电路结构。当用于驱动输出MOSFET101的栅极电压施加到控制端102时，该栅极电压经过栅极电阻103被施加到输出MOSFET101的栅极和用于监控输出电流的检测MOSFET104的栅极，主电流流过输出MOSFET101，检测电流流过检测MOSFET104。该检测电流被设置为大约是主电流的1/1000-1/10000的值。如果连接到输出MOSFET101的电路处于正常状态，那么基于检测电阻105的检测的检测电压保持为比过电流保护MOSFET106的阈值电压小，并且MOSFET106保持在截止状态。图11示出了在此状态下其是主电流的漏极电流ID与输出MOSFET101的源极...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：输出晶体管，用于控制流过第一端和第二端之间的电流；并联连接到输出晶体管的检测晶体管；与检测晶体管串联连接的检测电阻，用于检测流过检测晶体管的电流作为检测电压并且其阻值被设置为与第一端和第二端之间 的电位差成正比；以及过电流保护晶体管，用于根据检测电压的增加来降低输出晶体管和检测晶体管的导通电流。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：新井高雄，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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