补偿半导体工艺和电路中温度漂移的方法和设备技术

本发明专利技术提供一种方法设备，用于补偿半导体处理电路（例如基准电路）工作中的温度效应。该方法基于去除在温度范围上的基准电压变化的二阶效应（例如“曲率”）的实现来操作。可以以直线表示在温度范围上的基准电压变化。该方法通过在第一温度处、以温度无关电压将基准电压缩放为希望值来提供绝对值的修正。然后，在第二温度处，通过加上或减去在第一温度处一直为零的电压，来校正输出电压斜率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

Method and apparatus for compensating for temperature drift in semiconductor processes and circuits

The invention provides a method device for compensating a temperature effect in a semiconductor processing circuit (e.g., a reference circuit). The method is based on the implementation of a two order effect (e.g. curvature) that removes the reference voltage variations in the temperature range. The reference voltage variations in the temperature range can be indicated in a straight line. The method provides correction of the absolute value by scaling the reference voltage to a desired value at the first temperature and at a temperature independent voltage. Then, at the second temperature, the slope of the output voltage is corrected by adding or subtracting the voltage that has been zero at the first temperature.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体工艺和电路。具体地，本专利技术涉及需要在温度范围上的精确输出的电路。在例如电压或电流基准电路的电路中这种温度漂移的影响尤其明显，并且可能还影响放大器的工作。
技术介绍
在半导体电路领域，一些类型的电路需要在温度范围上的可靠工作。在图1中示出了被用于提供恒定基准源的一个这种电路。这种简单电路是这样实现的一种恒定基准电路使用电流源101，产生与绝对温度(PTAT)成比例的输出电流，电流源101经由电阻102与作为绝对温度的补充(CTAT)的晶体管103的基极-发射极电压相连。如果102两端压降的斜率(PTAT)与基极-发射极电压斜率(CTAT)相平衡，在电流源101和电阻102的公共节点处提供的输出电压实质上在温度上恒定。其他公知的基准源包括使用带隙技术实现的基准源。提供这种基准电路的问题在于存在多个可能提供基准电路的性能的变化的参数，这会导致误差。例如，作为在典型基准电路中实现的晶体管的工艺变化的结果，晶体管的基极-发射极电压可以改变。即使晶体管被设置为以相同的发射极电流工作，也可能改变多达10-20mV，从而在基准输出中导致误差。误差的另一个来源是由于在这种基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种补偿半导体电路工作期间的温度效应的方法，包括：在第一温度处将所述电路的输出值缩放为希望输出值；以及在第二温度处将所述输出值与所述希望输出值进行匹配，使得所述希望输出值在所述第一温度处保持不变。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬马林卡，托马斯G奥德怀尔，
申请(专利权)人：阿纳洛格装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]