The invention discloses a precision voltage reference circuit and a method for forming the same. The voltage reference circuit includes a first transistor, the first effective area is configured to form a first Vbe transistor; second, the effective area is smaller than the first second effective area, second effective area is configured to form larger than the first Vbe second Vbe; the difference between the first resistor is coupled to receive the first Vbe and second Vbe, the first resistor having first and second terminals; operational amplifier, a first current carrying electrode, a first input coupled to the second transistor is coupled to the first transistor of the first current carrying electrode of the second input and output, and coupled to the second input third transistor receiving signal; capacitor with coupled to the amplifier output the first terminal coupled to the third transistor and current carrying electrode terminal second. In one embodiment, a voltage reference circuit is configured to utilize a differential coupled transistor to form delta reference Vbe of the voltage reference circuit.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及电子学，更具体地，涉及形成半导体器件的方法 和结构。
技术介绍
在过去，半导体工业利用各种方法和结构来构建电压参考电路。 电压参考电路一般用于提供由其他电路如比较器电路使用的稳定的 参考电压。 一种形成电压参考电路的、普遍使用的设计技术使用能带隙(bandgap)参考作为电压参考电路的一部分。用于现有电压参考电路 的一个设计参数减小参考电压的变化，其由用于运行电压参考电路的 输入电压值的变化而产生。这有时称为电源抑制(power supply rejection),输入电压变化与参考电压变化的比称为电源抑制比 (PSSR)。在2005年12月6日授权给Brass等人的美国专利号 6,972,549中公开了现有电压参考电路的一个样例。然而，这样的现有 电压参考电路不提供充分的电源抑制。因此，期望有一种具有提高的电源抑制的电压参考电路。附图说明图1简要示出了根据本专利技术的电压参考电路的一部分的实施例；图2简要示出了另一电压参考电路的一部分的实施例，其为根据 本专利技术的图1的电压参考电路的可选实施例；以及图3简要示出了包括根据本专利技术的图1的电...
【技术保护点】
一种电压参考电路，其包括： 第一晶体管，其具有第一有效面积、第一载流电极、第二载流电极以及控制电极，其中，所述第一有效面积配置成形成第一Ｖｂｅ； 第二晶体管，其具有第一载流电极、第二载流电极、控制电极以及小于所述第一有效面积的第二有效面积，其中，所述第二有效面积配置成形成大于所述第一Ｖｂｅ的第二Ｖｂｅ； 第一电阻器，其耦合成接收所述第一Ｖｂｅ和所述第二Ｖｂｅ之间的差值，所述第一电阻器具有第一和第二端子； 运算放大器，其具有耦合至所述第一晶体管的所述第一载流电极的第一输入、耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极的第二输入、输出、和耦合成从所述第二输入接...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：保罗米格里尔瓦卡，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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