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本发明公开了一种精密电压参考电路及其形成方法。该电压参考电路包括：第一晶体管，其第一有效面积配置成形成第一Ｖｂｅ；第二晶体管，其具有小于第一有效面积的第二有效面积，第二有效面积配置成形成大于第一Ｖｂｅ的第二Ｖｂｅ；第一电阻器，其耦合成接收第...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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