本实用新型专利技术公开了一种零温度系数的基准电压源。零温度系数的基准电压源包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管和第八PMOS管。利用本实用新型专利技术提供的零温度系数的基准电压源能够输出零温度系数的基准电压。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及基准电流源，尤其涉及到零温度系数的基准电压源。
技术介绍
为了减少温度对基准电压的影响，设计了一种零温度系数的基准电压源。
技术实现思路
本技术旨在提供一种零温度系数的基准电压源。一种零温度系数的基准电压源，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管和第八PMOS管:所述第一 PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第二 PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第四PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ;所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管3的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地；所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接所述第六PMOS管的源极；所述第六PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极；所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第四NMOS管的漏极并作为基准电压源基准电压输出端VREF，源极接电源电压VCC ;所述第四NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第七PMOS管的漏极，源极接所述第八PMOS管的源极；所述第八PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第四NMOS管的源极。所述第一 PMOS管、所述第二 PMOS管和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二 PMOS管的栅极通过所述第二 PMOS管的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NMOS管、所述第二 NMOS管、所述第三NMOS管和所述第六PMOS管构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一 NMOS管镜像给所述第二 NMOS管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一 PMOS管导通使得所述第三PMOS管的栅极拉高，所述第三PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第三NMOS管和所述第六PMOS管上的电流是所述第一 NMOS管的阈值电压除以所述第三NMOS管和所述第六PMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第六PMOS管形成的RDS电阻呈负温度系数，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三NMOS管和所述第六PMOS管上的电流再通过所述第五PMOS管镜像给所述第七PMOS管电流；所述第七PMOS管的漏极电流加在由所述第四NMOS管和所述第八PMOS管形成的RDS电阻之和上产生基准电压VREF，通过调节所述第四NMOS管和所述第八PMOS管的RDS电阻的温度系数达到零温度系数电阻值，这样就产生零温度系数的基准电压VREF。【附图说明】图1为本技术的零温度系数的基准电压源的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种零温度系数的基准电压源，如图1所示，包括第一 PMOS管101、第二 PMOS管102、第三 PMOS 管 103、第四 PMOS 管 104、第五 PMOS 管 105、第一 NMOS 管 106、第二 NMOS 管107、第三NMOS管108、第六PMOS管109、第七PMOS管110、第四NMOS管111和第八PMOS管112:所述第一 PMOS管101的栅极接所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第七PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第二 PMOS管102的源极和所述第三PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第二 PMOS管102的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第三PMOS管103的栅极；所述第三PMOS管103的栅极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第二 PMOS管102的源极，漏极接所述第四PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第四PMOS管104的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第七PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ；所述第五PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管10当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种零温度系数的基准电压源，其特征在于：包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管和第八PMOS管；所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管3的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NMOS管的源极，源极接所述第六PMOS管的源极；所述第六PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极；所述第七PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第四NMOS管的漏极并作为基准电压源基准电压输出端VREF，源极接电源电压VCC；所述第四NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第七PMOS管的漏极，源极接所述第八PMOS管的源极；所述第八PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第四NMOS管的源极。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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