基准电压源及其正温度系数电压生成电路制造技术

一种正温度系数电压生成电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第二三极管的个数大于所述第一三极管的个数。上述正温度系数电压生成电路，通过第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元的相互作用，最终可以在输出端得到一个正温度系数电压。上述正温度系数电压生成电路去掉了运算放大器，从而可以完全消除由于运算放大器所产生的失调电压所带来的影响，进而可以确保基准电压源的输出电压具有较高的精度，满足高精度的使用场景需求。

Reference voltage source and its positive temperature coefficient voltage generating circuit

A positive temperature coefficient voltage generating circuit includes a first PMOS tube, second PMOS tube, third PMOS tube, NMOS tube, the first triode and a voltage dividing unit; the first PMOS and the second PMOS tube current mirror structure; the transistor pair includes a first transistor and the second transistor; the number of the second transistor is greater than the number of the first transistor. The positive temperature coefficient voltage generation circuit, through the first PMOS tube, second PMOS tube, third PMOS tube, NMOS tube, the first transistor and the voltage division unit of interaction, can eventually get a positive temperature coefficient of voltage at the output end. The positive temperature coefficient voltage generating circuit without operational amplifier, which can completely eliminate the influence of offset voltage operational amplifier has brought, so as to ensure the output voltage of the voltage source with high precision, to meet the demand of scene using high precision.

【技术实现步骤摘要】
基准电压源及其正温度系数电压生成电路
本专利技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种基准电压源及其正温度系数电压生成电路。
技术介绍
基准电压源电路是一种广泛应用于液晶显示驱动电路(LCD)、模数转换电路(ADC)和数模转换电路(DAC)等高速高精度电路中的参考电压模块，因此其稳定性和精度对整个参考电压模块有着重要的影响。传统的基准电压源电路由于工艺偏差，会在运放的输入端引入一个失调电压。失调电压通过运放后会被放大，从而在基准电压源电路的输出端引入较大的误差，降低了基准电压的精度。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够完全消除失调电压的基准电压源及其正温度系数电压生成电路。一种正温度系数电压生成电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接后作为输入端与第一电源输入端连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极与第二电流源端连接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电源输入端连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第二三极管的个数大于所述第一三极管的个数；所述第一三极管的集电极与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接且与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的集电极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的发射极与所述分压单元串联后接地；所述第二三极管的发射极还作为所述正温度系数电压生成电路的输出端，以输出正温度系数电压。上述正温度系数电压生成电路，通过第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元的相互作用，最终可以在输出端得到一个正温度系数电压。上述正温度系数电压生成电路去掉了运算放大器，从而可以完全消除由于运算放大器所产生的失调电压所带来的影响，进而可以确保基准电压源的输出电压具有较高的精度，满足高精度的使用场景需求。在其中一个实施例中，还包括补偿电容；所述补偿电容连接于所述第一三极管的集电极和所述第一三极管的基极之间。一种基准电压源，包括：如前述任一实施例所述的正温度系数电压生成电路；以及负温度系数电压生成电路；所述负温度系数电压生成电路的输入端与第三电源输入端连接；所述负温度系数电压生成电路包括第一输出端和第二输出端；所述第一输出端与所述正温度系数电压生成电路的输出端连接；所述第二输出端作为所述负温度系数电压生成电路的输出端；所述正温度系数电压生成电路和所述负温度系数电压生成电路叠加从而得到零温度系数电压并由所述第二输出端输出。在其中一个实施例中，所述正温度系数电压生成电路为多个；多个正温度系数电压生成电路级联后与所述负温度系数电压生成电路连接。在其中一个实施例中，所述第二电流源输入端输入的电流与所述第二三极管的集电极电流大小呈倍数关系，以对所述正温度系数电压生成电路输出的电压的温度系数进行调节。在其中一个实施例中，所述负温度系数电压生成电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、偏置电压单元、分压单元和第三三极管；所述第四PMOS管和所述第五PMOS管依次连接于所述第三电源输入端和所述偏置电压单元之间；所述偏置电压单元上与所述第五PMOS管连接的一端还与所述第三三极管的基极连接；所述偏置电压单元的另一端与所述正温度系数电压生成电路的输出端连接；所述第六PMOS管连接于所述第三电源输入端和所述第三三极管的集电极之间；所述第三三极管的发射极作为所述第一输出端；所述分压单元与所述偏置电压单元并联设置；所述分压单元包括相互串联的第一分压子单元和第二分压子单元；所述第一分压子单元和所述第二分压子单元之间的节点作为所述第二输出端。在其中一个实施例中，所述偏置电压单元包括电阻、三极管和MOS管中的至少一种；所述分压单元包括电阻、三极管和MOS管中的至少一种。在其中一个实施例中，还包括电压调节电路；所述电压调节电路包括运算放大器、可调电阻模块和控制单元；所述运算放大器的同相输入端与所述负温度系数电压生成电路的第二输出端连接；所述可调电阻模块的一端与所述运算放大器的输出端连接；所述可调电阻模块的另一端接地；所述可调电阻模块的调节端通过所述控制单元与所述运算放大器的反相输入端连接；所述控制单元用于对所述运算放大器的反相输入端接入所述可调电阻模块中的位置进行控制；所述运算放大器的输出端用于输出基准电压。在其中一个实施例中，所述可调电阻模块包括第一电阻单元、第二电阻单元、第三电阻单元和第四电阻单元；每个电阻单元均包括多个基础电阻；所述第一电阻单元的一端与所述运算放大器的输出端连接，所述第一电阻单元的另一端依次串联所述第二电阻单元、所述第四电阻单元后接地；所述第三电阻单元与所述第二电阻单元并联设置；所述控制单元包括控制逻辑电路和第一NMOS管开关组；所述第一NMOS管开关组中的NMOS管的数量与所述第三电阻单元中的基础电阻的数量相同；每个NMOS管的漏极与对应的基础电阻连接；每个NMOS管的源极均与所述运算放大器的反相输入端连接；每个NMOS管的栅极均与所述控制逻辑电路连接；其中，所述第二电阻单元、所述第三电阻单元和所述第四电阻单元中的基础电阻的个数与所述基准电压源的输出精度相匹配。在其中一个实施例中，所述可调电阻模块还包括可调电阻单元；所述可调电阻单元连接于所述运算放大器的输出端和所述第一电阻单元之间；所述可调电阻单元包括子电阻单元；每个所述子电阻单元均由所述基础电阻构成且每个所述子电阻单元的电阻呈线性递增关系；所述控制单元还包括第二NMOS管开关组；所述第二NMOS管开关组中的NMOS管的数量与对应的子电阻单元的数量相同，且对应的子电阻单元并联于NMOS管的源极和漏极之间；所述第二NMOS管开关组中的每个NMOS管的栅极与所述控制逻辑电路连接。附图说明图1为一实施例中的正温度系数电压生成电路的电路原理图；图2为一实施例中的基准电压源电路的电路原理图；图3为一实施例中的电压调节电路的电路原理图；图4为一实施例中的可调电阻模块的电路示意图；图5为另一实施例中的可调电阻模块的电路示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1，该正温度系数电压生成电路100包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管、PMOS管PM3、第一NMOS管NM1、三极管对110和分压单元120。分压单元120包括电阻R1。在其他的实施例中，分压单元120也可以包括电阻、MOS管和三极管中的至少一种。可以理解，分压单元120也可以由任意有源电路结构构成。第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2构成共源共栅电流镜结构。第一PMOS管PM1的源极和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正温度系数电压生成电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接后作为输入端与第一电源输入端连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极与第二电流源输入端连接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电源输入端连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第二三极管的个数大于所述第一三极管的个数；所述第一三极管的集电极与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接且与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的集电极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的发射极与所述分压单元串联后接地；所述第二三极管的发射极还作为所述正温度系数电压生成电路的输出端，以输出正温度系数电压。...

【技术特征摘要】
1.一种正温度系数电压生成电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接后作为输入端与第一电源输入端连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极与第二电流源输入端连接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电源输入端连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第二三极管的个数大于所述第一三极管的个数；所述第一三极管的集电极与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接且与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的集电极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的发射极与所述分压单元串联后接地；所述第二三极管的发射极还作为所述正温度系数电压生成电路的输出端，以输出正温度系数电压。2.根据权利要求1所述的正温度系数电压生成电路，其特征在于，还包括补偿电容；所述补偿电容连接于所述第一三极管的集电极和所述第一三极管的基极之间。3.一种基准电压源，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的正温度系数电压生成电路；以及负温度系数电压生成电路；所述负温度系数电压生成电路的输入端与第三电源输入端连接；所述负温度系数电压生成电路包括第一输出端和第二输出端；所述第一输出端与所述正温度系数电压生成电路的输出端连接；所述第二输出端作为所述负温度系数电压生成电路的输出端；所述正温度系数电压生成电路和所述负温度系数电压生成电路叠加从而得到零温度系数电压并由所述第二输出端输出。4.根据权利要求3所述的基准电压源，其特征在于，所述正温度系数电压生成电路为多个；多个正温度系数电压生成电路级联后与所述负温度系数电压生成电路连接。5.根据权利要求4所述的基准电压源，其特征在于，所述第二电流源输入端输入的电流与所述第二三极管的集电极电流大小呈倍数关系，以对所述正温度系数电压生成电路输出的电压的温度系数进行调节。6.根据权利要求3所述的基准电压源，其特征在于，所述负温度系数电压生成电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、偏置电压单元、分压单元和第三三极管；所述第四PMOS管和所述第五PMOS管依次连接于所述第三电源输入端和所述偏置电压单元之间；所述偏置电压单元上与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴贵荣，宋美丽，
申请(专利权)人：深圳市爱协生科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44