电流模式的修整装置制造方法及图纸

一种电流模式的修整装置，用以修整目标电流。此修整装置包括第一晶体管、第一电阻、运算放大器、第一受控电流源以及第二受控电流源。第一受控电流源以及第二受控电流源依据修整数据而各自调整所输出的电流。利用修整数据控制受控电流源，进而通过增加或减少电流的方式来改变流经第一晶体管的目标电流值，因此可以线性地增加或减少目标电流，进而达到修整的目的。

Trimming device in current mode

A current mode trimming device used to trim target currents. The trimming device includes a first transistor, a first resistor, an operational amplifier, a first controlled current source, and a second controlled current source. The first controlled current source and the second controlled current source respectively adjust the output current according to the trimming data. Controlled current source using the trimming data, and by increasing or decreasing the current to change the target current flowing through the first transistor, therefore can linearly increase or decrease the target current, and achieve the purpose of dressing.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种修整(trimming)装置，且特别涉及一种电流模式的修整装置。
技术介绍
集成电路(Integrated Circuit，IC)在制造时，会因为很多工艺上的原因，导致了电气特性的漂移。而这种电气特性的漂移，在设计电路上，往往产生了许多的不确定性。所以要如何降低电气漂移的因素，除了在制造集成电路的程序上，继续求进步，还有一个亡羊补牢的做法，就是通过修整(trimming)的步骤，来调整漂移的电气特性。公知修整的技术，不外乎多晶硅熔丝(Poly fuse)或是激光烧断(LaserCut)两种方式。在Poly fuse的技术中，会在集成电路主要的电路上连接一个修整电路，这个修整电路内用多晶硅(Poly-Silicon)作为连接。当要调整集成电路的电气特性时，只要加大电流，将修整电路内的多晶硅烧毁，改变其电路结构，就可以改变集成电路的电气特性得到所需要的值。而Lasercut的方法也是一样，只是用金属代替多晶硅，烧毁金属的时候不是用电流，而是用激光，一样能使集成电路的电气特性改变。请参照第1A图，其为公知的修整电路的方框图。运算放大器110的正输入端接收参考电压VREF，而其负输入端与输出端则分别电连接至N型晶体管120的漏极与栅极。晶体管120的源极电连接至系统电压VCCA。电阻130、141、142、143串接于N型晶体管120的漏极与接地电压GND之间。电阻141、142、143分别具有4RΩ、2RΩ、RΩ的电阻值。焊垫151～153与熔丝161～163也相互串接于N型晶体管120的漏极与接地电压GND之间。其中，焊垫152与153还分别电连接至电阻142的两端。通过焊垫151～153，可以选择将熔丝161～163中的任何一个熔丝烧毁，进而改变熔丝161～163的连接状态。通过决定熔丝161～163的连接状态，而决定电阻串130、141、142、143的总电阻值Rtot。由于目标电流Itot＝VREF/Rtot，因此可以通过修整电阻串130、141、142、143的总电阻值Rtot，而修整流经晶体管120的目标电流Itot。图1B是说明图1A的公知修整电路的总电阻值Rtot与目标电流Itot的关系图。请同时参照图1A与图1B，其中图1B的横轴表示电阻串130、141、142、143的总电阻值Rtot，而纵轴则表示流经晶体管120的目标电流Itot。由图1B中可以很清楚地看出，图1A中公知修整电路的修整结果并不是线性的(linear)，因此将影响修整的精确性。再者，由于进行修整前熔丝161～163皆未被烧断(此时电阻串的总电阻值Rtot最小)，因此公知修整电路必须由目标电流Itot最大值开始修整。因此，当目标电流Itot比预期的电流值还小时，此公知修整电路则因为无法将目标电流Itot加大而无法适用。
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供一种电流模式的修整(trimming)装置，以获得线性(linear)的修整结果，并可依需要而调高或调低修整结果。基于上述及其它目的，本专利技术提出一种电流模式的修整装置，用以修整目标电流。此修整装置包括第一晶体管、第一电阻、运算放大器、第一受控电流源以及第二受控电流源。第一电阻与第一晶体管串接于第一电压与第二电压之间。其中，流经第一晶体管的电流即为该目标电流。运算放大器的第一输入端接收参考电压，其第二输入端电连接至第一电阻与第一晶体管之间的共同节点，而运算放大器的输出端则电连接至第一晶体管的栅极。第一受控电流源电连接于共同节点与第一电压之间，用以提供第一电流，并依据所接收的第一修整数据而调整第一电流。第二受控电流源电连接于共同节点与第二电压之间，用以提供第二电流，并依据所接收的第二修整数据而调整第二电流。依照本专利技术的较佳实施例所述电流模式的修整装置，上述第一受控电流源包括n个定电流源CS1i以及n个开关SW1i，其中CS1i表示第i个定电流源，SW1i表示第i个开关，i为大于等于0且小于n的整数，n为大于0的整数。定电流源CS1i提供2iI安培的电流，其中I为实数。开关SW1i与定电流源CS1i串接于第一电压与共同节点之间。开关SW1i依据第一修整数据而各自决定其启闭状态。依照本专利技术的较佳实施例所述电流模式的修整装置，上述第二受控电流源包括n个定电流源CS2i以及n个开关SW2i，其中CS2i表示第i个定电流源，SW2i表示第i个开关。定电流源CS2i提供2iI安培的电流。开关SW2i与定电流源CS2i串接于第二电压与共同节点之间，用以依据第二修整数据而各自决定其启闭状态。本专利技术因通过增加或减少电流的方式来改变目标电流值，亦即利用修整数据控制受控电流源，因此可以依照修整数据的控制而线性地增加或减少目标电流，进而达到修整的目的。为让本专利技术之上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1A是公知的修整电路的方框图。图1B是说明图1A的公知修整电路的总电阻值Rtot与目标电流Itot的关系图。图2是依照本专利技术之实施例说明一种电流模式的修整装置。图3是依照本专利技术说明一种修整装置的范例电路图。图4A是依照本专利技术说明一种修整装置的另一范例电路图。图4B是依照本专利技术说明一种熔丝单元的范例电路图。图5A是依照本专利技术说明图4A修整装置的一个特例。图5B是依照本专利技术说明图4B熔丝单元的一个特例。图6则是依照本专利技术实施例说明图5A与图5B中施加于焊垫P3～P0的修整数据与目标电流Itot的关系图。主要元件标记说明110、210运算放大器120、NT0～NTn-1N型晶体管130、141、142、143电阻151～153、411、P0～P3焊垫161～163、412熔丝200修整装置220第一晶体管230第一电阻240第一受控电流源250第二受控电流源410-0～410-n熔丝单元414第二电阻413第三电阻415第一非门416第二非门AND0～ANDn-1与门CS10～CS1n-1、CS20～CS2n-1定电流源OR0～ORn-1或门PT0～PTn-1P型晶体管SW10～SW1n-1、SW20～SW2n-1开关 具体实施例方式图2是依照本专利技术之实施例说明一种电流模式的修整装置。请参照图2，修整装置200包括运算放大器210、第一晶体管220、第一电阻230、第一受控电流源240以及第二受控电流源250。晶体管220与电阻230串接于第一电压与第二电压之间。于本实施例中，晶体管220例如是N型晶体管，第一电压例如为系统电压VCCA，而第二电压可以是接地电压GND。运算放大器210的第一输入端(在此为正输入端)接收参考电压VREF，运算放大器210的第二输入端(在此为负输入端)电连接至电阻230与晶体管220之间的共同节点CN。运算放大器210的输出端电连接至晶体管220的栅极。假设电阻230的电阻值为R230，而流经电阻230的电流为Iosc，则Iosc＝VREF/R230。受控电流源240电连接于共同节点CN与系统电压VCCA之间，而受控电流源250则电连接于共同节点CN与接地电压GND之间。受控电流源240与250分别依据第一修整数据S1与第二修整数据S2而提供第一电流I240与第二电流I250。由于流经晶体管2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流模式的修整装置，用以修整目标电流，其特征是该修整装置包括：第一晶体管，其中流经该第一晶体管的电流即为该目标电流；第一电阻，其与该第一晶体管串接于第一电压与第二电压之间；运算放大器，其第一输入端接收参考电压，其第二输入端电连接至该第一电阻与该第一晶体管之间的共同节点，而该运算放大器的输出端则电连接至该第一晶体管的栅极；第一受控电流源，电连接于该共同节点与该第一电压之间，用以提供第一电流，并依据所接收的第一修整数据而调整该第一电流；以及第二受控电流源，电连接于该共同节点与该第二电压之间，用以提供第二电流，并依据所接收的第二修整数据而调整该第二电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕俊德，葛振廷，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]