A current mode trimming device used to trim target currents. The trimming device includes a first transistor, a first resistor, an operational amplifier, a first controlled current source, and a second controlled current source. The first controlled current source and the second controlled current source respectively adjust the output current according to the trimming data. Controlled current source using the trimming data, and by increasing or decreasing the current to change the target current flowing through the first transistor, therefore can linearly increase or decrease the target current, and achieve the purpose of dressing.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种修整(trimming)装置,且特别涉及一种电流模式的修整装置。
技术介绍
集成电路(Integrated Circuit,IC)在制造时,会因为很多工艺上的原因,导致了电气特性的漂移。而这种电气特性的漂移,在设计电路上,往往产生了许多的不确定性。所以要如何降低电气漂移的因素,除了在制造集成电路的程序上,继续求进步,还有一个亡羊补牢的做法,就是通过修整(trimming)的步骤,来调整漂移的电气特性。公知修整的技术,不外乎多晶硅熔丝(Poly fuse)或是激光烧断(LaserCut)两种方式。在Poly fuse的技术中,会在集成电路主要的电路上连接一个修整电路,这个修整电路内用多晶硅(Poly-Silicon)作为连接。当要调整集成电路的电气特性时,只要加大电流,将修整电路内的多晶硅烧毁,改变其电路结构,就可以改变集成电路的电气特性得到所需要的值。而Lasercut的方法也是一样,只是用金属代替多晶硅,烧毁金属的时候不是用电流,而是用激光,一样能使集成电路的电气特性改变。请参照第1A图,其为公知的修整电路的方框图。运算放大器110的正输入 ...
【技术保护点】
一种电流模式的修整装置,用以修整目标电流,其特征是该修整装置包括:第一晶体管,其中流经该第一晶体管的电流即为该目标电流;第一电阻,其与该第一晶体管串接于第一电压与第二电压之间;运算放大器,其第一输入端接收参考电压,其第二输入端电连接至该第一电阻与该第一晶体管之间的共同节点,而该运算放大器的输出端则电连接至该第一晶体管的栅极;第一受控电流源,电连接于该共同节点与该第一电压之间,用以提供第一电流,并依据所接收的第一修整数据而调整该第一电流;以及第二受控电流源,电连接于该共同节点与该第二电压之间,用以提供第二电流,并依据所接收的第二修整数据而调整该第二电流。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吕俊德,葛振廷,
申请(专利权)人:智原科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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