用于调整参考值的方法和装置制造方法及图纸

公开了用于调整参考值的方法和装置的例子。在本发明专利技术的一个方面，一种电路包括分流器，以将来自电流源的电流分成第一电流和参考电流。该电路还包括耦接到该分流器的电流反射镜，其接收来自该分流器的该第一电流且接收调整电流。该调整电流用以设定该参考电流。

Method and apparatus for adjusting reference values

An example of a method and apparatus for adjusting a reference value is disclosed. In one aspect of the invention, a circuit includes a shunt to divide a current from a current source into a first current and a reference current. The circuit also includes a current mirror coupled to the diverter that receives the first current from the shunt and receives the adjustment current. The adjusting current is used to set the reference current.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及电路，更具体地，本专利技术涉及到在电路中调整参 考值。
技术介绍
用于切换电源的集成电路控制器使用诸如参考电压和参考电流的 参考值来检测内部和外部参数何时达到特定的值。例如，有时将检测 开关中电流的信号与参考值相比较，以便控制器能在该电流超过最大 值时切断电源开关。或与占空比成正比的信号可与参考值相比较，这 样，控制器可以防止占空比超过最大值。在另一个例子中，将正比于 输入电压的信号与参考值相比较，以在输入电压过高或过低的时候中 止电路的工作。经常，为了特殊的应用或过渡运行条件需要调整参考电流或参考 电压。在许多情况下，需要根据外部元件或动态激励来改变参考值。 此外，经常希望在两个值之间调整参考值。然而，用于提供集成电路 解决方案的已知技术的代价可能很大。
技术实现思路
根据本专利技术，提供一种电路，包括分流器，用以将来自电流源 的电流分成第 一 电流和参考电流；以及耦接到该分流器的电流反射 镜，以接收来自该分流器的该第一电流且接收调整电流，该调整电流 用以设定该参考电流。附图说明将通过附图中所示的示范性实施例的方式，而非限制的方式，来 描述本专利技术。在附图中，相似的参考数字表示相似的元件，并且其中 图l是示出了根据本专利技术的一个实施例的电路的示意图； 图2是与图1的电路相关的曲线图； 图3是示出了根据本专利技术的一个实施例的电路的示意图； 图4是与图3的电路相关的曲线图；以及 图5是与图3的电路相关的曲线图。具体实施方式 此处公开用于调整诸如参考电流或参考电压的参考值的电路和方 法的例子。在以下的描述中，为了提供本专利技术的全面理解，阐述了许 多具体细节。不过，对本领域的普通技术人员显而易见的是并不需要 采用具体细节来实践本专利技术。在其他例子中，为了避免模糊本专利技术， 并没有详细描述众所周知的材料或方法。通篇说明中，提到的"一个实施例"或"一实施例"意味着结合 实施例所描述的特定特征、结构或特性包含在本专利技术的至少一个实施 例中。因此，通篇说明中在不同地方出现的措辞"在一个实施例中" 或"在一实施例中"并不一定全指的是相同的实施例。此外，特定的 特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任意合适的方式结合 起来。在本专利技术的一个方面，电路包括分流器和电流反射镜。在一个例 子中，分流器可以将来自电流源的电流分成第一和第二或参考电流。 在例子中，可以耦接电流反射镜以接收来自分流器的该第 一 电流和调 整电流。在该例子中，该调整电流可以在电路中设定参考电流，并且 可以耦接电阻器以接收来自分流器的参考电流，以提供参考电压。此 外，在该例子中，该参考电流和参考电压可以在两个值之间可调，例 如，在该参考电流或电压的全值和该参考电流或电压的该全值的 一部 分之间。图1中示意性地示出了根据例子的包括耦合到电流反射镜160的 分流器155的电路100。如图所示，分流器155可以包括第一晶体管110 和第二晶体管115，其中第一晶体管IIO分别包括第一，第二和第三端 子lll, 112和113，第二晶体管115分别包括第一，第二和第三端子 116， 117和118。在例子中，第一晶体管110的第一端子111可以耦接 到第二晶体管115的第一端子116。在例子中，电流源105可以耦接到 第一晶体管IIO和第二晶体管115。此外，在例子中，电流反射镜160包括第三晶体管和第四晶 体管140，其中第三晶体管135分别包括第一，第二和第三端子l36， 137和138，第四晶体管H0分别包括第一，第二和第三端子l41， l42 和143。如在例子中所示，第一晶体管110的第二端子1U可以耦接到第四晶体管140的第一端子1"，从而将电流反射镜wo耦合到分i器155。注意在例子中，电路100的晶体管110， 115， 135和140可以包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此外，在例子中， 第三晶体管l"和第四晶体管H0可以分别具有比率为1: M的强度。 在工作中，分流器155可以将来自电流源105的源电流或电流10 分成将从第一晶体管llO输出的第一电流Ix和将从第二晶体管115输 出的第二电流或参考电流Iref。在例子中，第一和第二晶体管110和 115可以具有以比率(l-r) : r相联系的各自的强度，其中r小于l。因此，在例子中，第一电流Ix与参考电流lREF的和基本上等于来自电流源105的源电流或电流In的全值。在例子中，可以将电流反射镜160耦接到分流器155，以在第三晶 体管140的第一端子141处接收第一电流Ix。在例子中，还可以耦接电 流反射镜160以在第三晶体管135的第二端子137处接收调整电流IA。 因此，在例子中，可以将调整电流U映射到第一电流Ix。因此，在例子中，可以才艮据调整电流lA来调整参考电流lREF。具体讲，调整电流Ia可以将参考电流Irefi殳为介于参考电流Iref的全值和参考电流Iref 的全值的一部分，r部分，之间的调整值。此外，在例子中，可以将电 阻器145耦接到第二晶体管115的第二端子117，以接收来自分流器155的参考电流IREF，以提供参考电压VREF。注意在不同的例子中，调整电流IA可以起源于可以包含电路100的集成电路的内部或外部。在一 个例子中，集成电路可以控制电源。图2是描述如横轴201上所示调整电流IA，与纵轴203上所示参 考电流lREF，之间关系的曲线图200。如图2所示，当调整电流lA位 于上阈限值和下阈限值之间时，调整电流IA和参考电流IREF的变化基 本上是线性的或成比例的。因此，在例子中，当调整电流IA小于或等于诸如O的下阈限值时，如图2例子所示，参考电流IREF基本上等于 电流I。，Io是参考电流lREF的全值205。因为第一电流Ix与参考电流lREF 的和基本上等于电流10，在例子中，当参考电流IREF在全值205时， 第一电流Ix等于O (未示出)。注意在例子中，第 一电流Ix是映射的调整电流MIA或电流(1 - r ) Io的较小值。因此，在例子中，由于第一电流Ix不会超过(l-r) 10，调整电流lA不会将参考电流lREF降至小于部分值rIo。因此，如曲线图 200所示，随着调整电流IA增加，参考电流Iref可以成比例地咸小，直到其在207处达到部分值rlo且第一电流Ix等于电流(1-r) I。。在例子中，调整电流lA然后大于或等于上阈限值，在图2所示例子中该值为(1-r)Io/M。还注意到，在例子中，电阻器145可以接收参考电 流Iref 以产生参考电压VREF。图3示出了例子中与电路100 (图1)的实施相关的示范性电路 300。在例子中，电路300可以在全值Vo和全值的一部分rVo之间作为 时间的函数来调整参考电压VREF。根据例子，电路300可以包括比较器315，耦接该比较器以对检测到的电压VsENSE和参考电压Vref迸行 比较，以在检测到的电压VsENSE超过参考电压VREF时将输出325设为逻辑高电平值。在例子中，电路300还可以包括输入电流源310，其耦 接到第三晶体管135的第一和第二端子136和137，且耦接该输入电流 源以接收输入电流IRAMP。在例子中，输入电流源310可以从输入电流 Iramp中除去第一阈值电流Iz本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路，包括：分流器，用以将来自电流源的电流分成第一电流和参考电流；以及耦接到该分流器的电流反射镜，以接收来自该分流器的该第一电流且接收调整电流，该调整电流用以设定该参考电流。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兆军，
申请(专利权)人：电力集成公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]