The invention discloses a bandgap reference circuit, including: input circuit, has two ends, wherein the first end is connected to the first field effect transistor and the first field-effect transistor having a first threshold voltage, between second endpoints and second field effect transistors connected to the first resistor and the second field effect transistor has second critical voltage mirror; the circuit can control two output current of the two endpoints of the two output current is maintained between the current fixed proportion; and the operational amplifier is connected to the two end points and the mirror circuit is used to control the voltage at both ends of the mirror circuit makes the point with which the first voltage relationship; the second field effect transistor and field effect transistors are in operation on the critical region, and the first threshold voltage is greater than the second threshold voltage, and the two The output current will not change as the temperature changes.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带差参考电路(Bandgap Reference Circuit)，且特别涉及一种低操作电压的带差参考电路。
技术介绍
众所周知，带差参考电路的功能是提供一个稳定、不会随着工艺、温度、电源电压改变的参考电压(Vref)，因此，在混合式电路的领域中广泛的被设计于许多的电路中，例如，电压调整器(Voltage Regulator)、数字转模拟电路、以及低漂移放大器(Low Drift Amplifier)。 请参照图1，其所示为已知由PMOS场效应晶体管、PNP双极晶体管、与运算放大器所组成的带差参考电路示意图。一般来说，带差参考电路包括镜像电路(Mirroring Circuit)12、运算放大器(Operation Amplifier)15、以及输入电路20。镜像电路12中包括三个PMOS场效应晶体管(FET)M1、M2、M3，在此范例中，M1、M2、M3具有相同的长宽比(W/L)。其中，M1、M2与M3的栅极相互连接，M1、M2与M3的源极连接至供应电源(Vss)，M1、M2与M3的漏极可分别输出Ix、Iy与Iz的电流。另外，运算放...
【技术保护点】
一种带差参考电路，包括：输入电路，具有两个端点，其中第一端点连接至第一场效应晶体管且该第一场效应晶体管具有第一临界电压，第二端点与第二场效应晶体管之间连接第一电阻且该第二场效应晶体管具有第二临界电压；镜像电路，其可控制该两个 端点上的两个输出电流，使该两个输出电流间维持固定的电流比例；以及运算放大器，连接至该两个端点以及该镜像电路用以控制该镜像电路使得该两端点上的电压具有电压关系；其中，该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管都在次临界区操作，且该 第一临界电压大于该第二临界电压，且该两个输出电流不会随着温度变化而改变。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭彦华，王为善，张家玮，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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