【技术实现步骤摘要】
非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质
本专利技术涉及标记
，尤其涉及一种非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质。
技术介绍
晶圆为制作集成电路(积体电路)元件的基础，晶圆的制作过程包含有下列几个主要步骤：首先备制出高纯度的液态半导体原料(如硅)，接着利用晶种(seed)借助拉晶(pooling)生成圆柱状的晶棒(ingot)，之后再进行切片(slicing)将晶棒切割成碟状，以形成晶圆。而晶圆于制造后，会将晶圆送置于测试厂以进行晶圆测试，其晶圆测试主要目的是确认于一晶圆中有哪些良好晶片可供封装之用，最后计算出符合所需电性参数的良率晶片数目，以供测试厂人员对晶圆整体效能做出分析；然而，晶圆制造过程中，因其他因素所造成的缺陷晶圆(如有局部破损的晶圆等)，会被视为瑕疵的晶圆而丢弃，即是对非完整晶圆大部分进行报废处理，这会造成极大的晶圆物料浪费且污染环境。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质，旨在解决现有技术中对非完整晶圆进行报废处理造成极大晶圆物料浪费...
【技术保护点】
1.一种非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述非完整晶圆处理方法包括：/n在检测到非完整晶圆时，获取所述非完整晶圆的破损区域；/n确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并根据所述缺口深度确定所述非完整晶圆的切割方式；/n根据所述切割方式对所述非完整晶圆进行切割，得到第一切割晶圆；/n根据所述第一切割晶圆，确定对应完整实验晶圆的拼接切口，以根据所述拼接切口对所述完整实验晶圆进行切割，得到第二切割晶圆；/n对所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆进行切口完整拼接处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述非完整晶圆处理方法包括：
在检测到非完整晶圆时，获取所述非完整晶圆的破损区域；
确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并根据所述缺口深度确定所述非完整晶圆的切割方式；
根据所述切割方式对所述非完整晶圆进行切割，得到第一切割晶圆；
根据所述第一切割晶圆，确定对应完整实验晶圆的拼接切口，以根据所述拼接切口对所述完整实验晶圆进行切割，得到第二切割晶圆；
对所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆进行切口完整拼接处理。
2.如权利要求1所述的非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并根据所述缺口深度确定所述非完整晶圆的切割方式步骤包括：
确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并获取最深缺口深度以及最浅缺口深度；
确定所述最深缺口深度与所述最浅缺口深度的深度差值是否小于预设深度差值；
若所述深度差值小于预设深度差值，则连接所述各个破损缺口的缺口深度以确定缺口方向，根据所述最深缺口深度以及所述缺口方向，确定所述非完整晶圆的第一切割线；
根据所述第一切割线确定所述切割方式。
3.如权利要求2所述的非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述确定所述最深缺口深度与所述最浅缺口深度的深度差值是否小于预设深度差值步骤之后包括：
若所述深度差值大于等于预设深度差值，则基于所述最深缺口深度确定所述非完整晶圆的缺口转折线；
根据所述缺口转折线，确定所述非完整晶圆的第二切割线，根据所述第二切割线确定所述切割方式。
4.如权利要求1-3任一项所述的非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述对所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆进行切口完整拼接处理步骤包括：
获取所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆的晶圆高度差值；
若所述晶圆高度差值大于第一预设值时，对所述晶圆高度差值进行高度差补齐处理，并对高度差补齐处理后的所述第二切割晶圆与所述第一切割晶圆进行切口完整拼接处理。
5.如权利要求4所述的非完整晶圆处理方法，其特征在于，所述若所述晶圆高度差值大于第一预设值时，对所述晶圆高度差值进行高度差补齐处理，并对高度差补齐处理后的所述第二切割晶圆与所述第一切割晶圆进行切口完整拼接处理步骤包括：
若所述晶圆高度差值大于第一预设值时，确定所述第二切割晶圆的高度是否低于所述第一切割晶圆的高度；
若确...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊锦军，王海升，曾斌，
申请(专利权)人：青岛歌尔微电子研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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