【技术实现步骤摘要】
湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置和方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种湿法清洗(WETbench)机台中改善水痕缺陷的装置。本专利技术还涉及一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的方法。
技术介绍
WETbench清洗过程中，一般要求在能够去除表面颗粒和残留时，不能产生水痕(watermark)等其它新缺陷，否则会直接影响产品的良率。HF药液处理之后晶圆表面有大量硅氢键，晶圆通常为硅晶圆，硅氢键存在于裸露的Si表面，硅氢键容易与氧气、水发生反应，脱水形成SiO2。使用晶圆传输(WTR)手臂的机台，晶圆在空气中暴露的时间较长，达到20s左右，导致watermark缺陷产生。如图1所示，是现有湿法清洗机台的结构示意图；如图2所示，是现有湿法清洗机台中晶圆传输手臂1抓取晶圆4时的正面图；如图3所示，是现有湿法清洗机台中晶圆传输手臂1抓取晶圆4时的侧面图；现有湿法清洗机台的整体结构也请参考图1所示，现有湿法清洗机台包括：晶圆传输手臂1，晶圆容器2，湿法清洗腔3。图1中，湿法清洗腔3也用CHB表示...
【技术保护点】
1.一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于，湿法清洗机台包括：晶圆传输手臂，晶圆容器，湿法清洗腔；/n所述晶圆传输手臂用于将一批次的晶圆放置到对应的所述晶圆容器或从对应的所述晶圆容器中抓取一批次的所述晶圆；/n一批次的所述晶圆通过所述晶圆容器放置在所述湿法清洗腔中进行清洗；/n所述晶圆传输手臂包括多个晶圆抓，各所述晶圆抓用于抓取一片对应的所述晶圆；/n各所述晶圆抓设置在手臂杆上且各所述晶圆抓的开口向下；/n在所述晶圆传输手臂上还设置有气体管路，所述气体管路通的气体为惰性气体或氮气；所述气体管路中设置有吹气孔；当所述晶圆传输手臂抓取一批次的所述晶圆时，所述吹气孔位于...
【技术特征摘要】
1.一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于，湿法清洗机台包括：晶圆传输手臂，晶圆容器，湿法清洗腔；
所述晶圆传输手臂用于将一批次的晶圆放置到对应的所述晶圆容器或从对应的所述晶圆容器中抓取一批次的所述晶圆；
一批次的所述晶圆通过所述晶圆容器放置在所述湿法清洗腔中进行清洗；
所述晶圆传输手臂包括多个晶圆抓，各所述晶圆抓用于抓取一片对应的所述晶圆；
各所述晶圆抓设置在手臂杆上且各所述晶圆抓的开口向下；
在所述晶圆传输手臂上还设置有气体管路，所述气体管路通的气体为惰性气体或氮气；所述气体管路中设置有吹气孔；当所述晶圆传输手臂抓取一批次的所述晶圆时，所述吹气孔位于各所述晶圆的上方并对所述晶圆表面吹气，利用吹出的惰性气体或氮气保护晶圆表面，避免晶圆长时间暴露在空气中，产生水痕缺陷。
2.如权利要求1所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述晶圆为硅晶圆。
3.如权利要求1所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述晶圆容器上等间距设置有多个晶圆放置槽；
所述晶圆抓等间距的设置在所述手臂杆上，所述晶圆抓和所述晶圆放置槽的数量相等。
4.如权利要求3所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述气体管路沿所述手臂杆设置；
所述气体管路位于所述晶圆抓的顶部的中央位置且所述气体管在纵向上和所述晶圆抓所抓取的所述晶圆的圆心对齐；
所述气体管路为一路以上；在各所述晶圆抓的顶部，所述气体管路设置有一个以上的所述吹气孔。
5.如权利要求4所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述气体管路为一路；在各所述晶圆抓的顶部，所述气体管路设置有3个所述吹气孔，中间所述吹气孔的吹气方向垂直向下；相对于中间所述吹气孔的吹气方向，两边两个所述吹气孔的吹气方向都和中间所述吹气孔的吹气方向偏离45°但是分别位于中间所述吹气孔的吹气方向的两侧。
6.如权利要求5所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述气体管路上安装有启动开关阀，所述启动开关阀由各所述晶圆抓的张开和夹紧对应的电磁信号来控制；所述晶圆抓张开时，所述启动开关阀关闭，所述气体管路不流气体；所述晶圆抓夹紧时，所述启动开关阀打开，所述气体管路的气体流动并从所述吹气孔吹气。
7.如权利要求6所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征在于：所述气体管路中气体流动时的流量为40L/min。
8.如权利要求2所述的湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，宋振伟，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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