蚀刻装置制造方法及图纸

本申请提出了一种蚀刻装置，包括：蚀刻腔室以及抽气系统。蚀刻腔室包括上部电极、下部电极以及环绕下部电极设置的导风构件。抽气系统包括至少一抽气口，所述抽气口位于所述导风板远离所述蚀刻腔室的一侧。导风构件包括至少一导风板，导风板包括多个导风孔。导风板中靠近抽气口的导风孔的空占比小于导风板中远离抽气口的导风孔的空占比。本申请通过设置导风板中靠近抽气口的导风孔的空占比小于导风板中远离抽气口的导风孔的空占比，有效避免了腔室内的气体在靠近抽气口的区域产生瀑布效应，提高了蚀刻装置蚀刻待蚀刻产品的均一性。

Etching device

【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置
本申请涉及半导体加工领域，尤其涉及一种蚀刻装置。
技术介绍
随着社会的发展，人们对显示设备的需求量越来越大，推动了显示面板的产量的不断提升。蚀刻工艺是显示面板的制造过程中必不可少的工艺，需要用到蚀刻装置。现有的蚀刻装置中，由于腔室内的气体在抽气口区域的瀑布效应，导致待蚀刻产品越靠近抽气口区域的部分蚀刻速率越快，造成待蚀刻产品的蚀刻不均一，影响产品的显示质量。因此，亟需一种新的蚀刻装置以解决上述技术问题。
技术实现思路
本申请提供了一种蚀刻装置，用于解决现有的蚀刻装置对待蚀刻产品的蚀刻不均一的问题。为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提出了一种蚀刻装置，包括：蚀刻腔室以及抽气系统；所述蚀刻腔室包括上部电极、下部电极以及环绕所述下部电极设置的导风构件；所述抽气系统包括至少一抽气口，所述抽气口位于所述导风板远离所述蚀刻腔室的一侧；所述导风构件包括至少一导风板，所述导风板包括多个导风孔；其中，所述导风板中靠近所述抽气口的导风孔的空占比小于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：蚀刻腔室以及抽气系统；/n所述蚀刻腔室包括上部电极、下部电极以及环绕所述下部电极设置的导风构件；/n所述抽气系统包括至少一抽气口，所述抽气口位于所述导风板远离所述蚀刻腔室的一侧；/n所述导风构件包括至少一导风板，所述导风板包括多个导风孔；/n其中，所述导风板中靠近所述抽气口的导风孔的空占比小于所述导风板中远离所述抽气口的导风孔的空占比。/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：蚀刻腔室以及抽气系统；
所述蚀刻腔室包括上部电极、下部电极以及环绕所述下部电极设置的导风构件；
所述抽气系统包括至少一抽气口，所述抽气口位于所述导风板远离所述蚀刻腔室的一侧；
所述导风构件包括至少一导风板，所述导风板包括多个导风孔；
其中，所述导风板中靠近所述抽气口的导风孔的空占比小于所述导风板中远离所述抽气口的导风孔的空占比。


2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述导风构件包括位于所述下部电极一侧的第一导风板；
所述第一导风板包括第一分板，所述第一分板上设置多个第一导风支孔；
所述抽气系统包括第一抽气口，所述第一抽气口至少包括第一抽气支口；
所述第一分板位于所述第一抽气支口上，所述第一抽气支口在所述第一分板上的正投影位于所述第一分板的第一区；
其中，在所述第一区至所述第一分板的第一边缘或第二边缘的方向上，所述第一导风支孔的空占比逐渐增加。


3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述第一区至所述第一边缘的区域内设置有多个第一导风子区，所述第一区至所述第二边缘的区域内设置有多个第二导风子区；
在任一所述第一导风子区或任一所述第二导风子区内，相邻两个所述第一导风支孔的空占比之差的绝对值小于或等于5％。


4.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述第一抽气口还包括与所述第一抽气支口并列设置的第二抽气支口；
所述第一分板位于所述第二抽气支口上，所述第二抽气支口在所述第一分板上的正投影位于所述第一分板的第二区内；
其中，在所述第一边缘至所述第一分板的所述第一区的方向上，所述第一导风支孔的空占比逐渐减小；
在所述第一区至所述第二区的方向上，所述第一导风支孔的空占比先增加后减小；
在所述第二区至所述第一分板的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李子然，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44