半导体加工腔室以及晶圆处理方法技术

本发明专利技术公开一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。半导体加工腔室包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。与现有技术相比，本发明专利技术省去了一个专门用来升降顶针的平台，却没有省去相应的功能，这种半导体加工腔室的结构更加简单、可靠、制作成本也更低，同时，这种半导体加工腔室中的顶针也不会因为有这种倾斜的顶针升降平台而被折断。

Semiconductor processing chamber and wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
半导体加工腔室以及晶圆处理方法
本专利技术总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。
技术介绍
在半导体生产加工工艺中，常常需要将晶圆输送到半导体加工腔室内进行加工。为了方便机械臂将晶圆输送到半导体加工腔室内的第一升降台上，半导体加工腔室还设置有顶针装置和第二升降台。第二升降台设置在第一升降台的下方，顶针装置包括底板以及从顶板垂直伸出的多根顶针。顶针装置放置在第二升降台上，底板抵接于第二升降台，并且顶针贯穿第一升降台。第二升降台上升带动顶针上升，顶针的顶端高出第一升降台时机械臂将晶圆放置在顶针的上方，多根顶针支撑起晶圆。第二升降台下降带动顶针装置下降，晶圆也随之下降，直至第一升降台托住晶圆，这样就将晶圆放置在第一升降台上了。然而，在实践中，顶针装置在上升过程中经常出现顶针断裂的问题。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。如图1所示，半导体加工腔室1a内通常设置有顶针装置11a、第一升降台12a和第二升降台13a。第一升降台12a设置在第二升降台13a的上方。第一升降台12a和第二升降台13a均能独自上升或下降。顶针装置11a包括底板111a以及从底板111a向上伸出的多根顶针112a。多根顶针112a相互平齐且均与底板111a垂直。顶针装置11a放置在第二升降台13a上，顶针装置11a的底板111a与第二升降台13a相抵。第二升降台13a上升时能带动顶针装置11a上升。第一升降台12a上设置有多个过孔。过孔的数量与顶针112a的数量相等。顶针112a与过孔一一对应设置。顶针112a贯穿与其相对应的过孔，顶针112a与过孔之间采用间隙配合。晶圆2传输到半导体加工腔室1a内的步骤为：如图1所示，第二升降台13a带动顶针装置11a相对于第一升降台12a上升，直至顶针112a的顶部超出第一升降台12a；如图2所示，机械手臂托住晶圆2并将晶圆2放置到顶针112a的顶部上，多根顶针112a一同支撑起晶圆2；如图3所示，机械手臂缩回后，第二升降台13a带动顶针装置11a相对于第一升降台12a下降，直至顶针112a的顶部平齐于第一升降台12a的上表面，第一升降台12a托起晶圆2。这样就将晶圆2放置在第一升降台12a上了。第一升降台12a上升，将晶圆2带动到半导体加工腔室1a的上方进行成膜等加工步骤，然后第一升降台12a下降至原位。这时需要将晶圆2传送出半导体加工腔室1a。晶圆2传送出半导体加工腔室1a的步骤为：第二升降台13a上升带动顶针装置11a上升，顶针112a将晶圆2顶起；机械手臂将晶圆2托起并将晶圆2移出半导体加工腔室1a。专利技术人通过大量的实践发现：如图4所示，由于支撑第二升降台13a的支柱偏心设置，第二升降台13a容易在重力的作用下向一侧微微倾斜。这样，在将晶圆2传送出半导体加工腔室1a的过程中，由于底板111a被第一升降台12a约束成水平而第二升降台13a倾斜，第二升降台13a上升时第二升降台13a对顶针112a还会施加一个弯转矩，该转矩容易导致顶针112a折断。本专利技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。根据本专利技术的一个实施例，升降平台上升能挂住所述限位部以带动所述顶针上升，所述升降平台下降能使得所述顶针的顶端伸到所述升降平台的上方。根据本专利技术的一个实施例，所述基座组件包括多个竖直设置的筒体，每个筒体上设置有一个所述盲孔。根据本专利技术的一个实施例，所述通孔至少设置3个，所述盲孔至少设置3个，所述顶针至少设置3根，所有所述顶针不设置在同一竖直平面内。根据本专利技术的一个实施例，所述顶针设置有三根，每两根所述顶针之间的距离相等。根据本专利技术的一个实施例，所述半导体加工腔室还包括从升降平台向下延伸的支撑柱，所述支撑柱用于驱动所述升降平台上升和下降。根据本专利技术的一个实施例，所述让位空间的形状与限位部的形状相匹配。根据本专利技术的一个实施例，所述升降平台还设置有多个由每个通孔的顶端的内周壁径向向外凸出形成的让位空间，所述限位部能容纳于所述让位空间。根据本专利技术的一个实施例，所述限位部为环形，所述让位空间为环空空间。根据本专利技术的一个实施例，所述限位部的外径从顶端到底端渐缩，所述让位空间的内径从顶端到底端渐缩。根据本专利技术的一个实施例，所述半导体加工腔室还包括容纳所述升降平台、所述基座组件和所述顶针的腔体；所述腔体设置有位于升降平台上方且朝向升降平台喷气的送气口，所述送气口连接到送气管，用于将反应气体运送至所述半导体加工腔室内。根据本专利技术的一个实施例，半导体加工腔室还包括设置在所述腔体内且位于升降平台上方的喷头；所述喷头顶部设置为连接所述送气口以及底部设置多个出气孔，多个所述出气孔用于均匀地喷射出反应气体。本专利技术还提出了一种晶圆处理方法，其包括以下步骤：提供如上所述的半导体加工腔室；所述升降平台下降到平台上平面低于所述顶针的顶端，此时所述顶针的顶端高度为初始高度；将晶圆放置在顶针的顶部以使得所述顶针支撑起所述晶圆；所述升降平台上升至平台上平面高于所述初始高度以平托起所述晶圆并将所述顶针挂起。根据本专利技术的一个实施例，还包括以下步骤：所述升降平台下降到平台上平面低于所述初始高度以使得所述顶针支撑起所述晶圆；将所述晶圆从所述顶针的顶部取下。由上述技术方案可知，本专利技术的半导体加工腔室的优点和积极效果在于：与现有技术相比，这种半导体加工腔室省去了一个专门用来升降顶针的平台，却没有省去相应的功能，这种半导体加工腔室的结构更加简单、可靠、制作成本也更低；同时，这种半导体加工腔室中的顶针也不会因为有这种倾斜的顶针升降平台而被折断。附图说明通过结合附图考虑以下对本专利技术的优选实施例的详细说明，本专利技术的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本专利技术的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1是一种加工腔室在第二升降台上升状态下的结构示意图；图2是一种加工腔室在顶针支撑晶圆状态下的结构示意图；图3是一种加工腔室在第二升降台下降状态下的结构示意图；图4是一种顶针被折断的示意图；图5是根据一示例性实施方式示出的一种加工腔室在升降平台下降状态下的结构示意图；图6是根据一示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：/n升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；/n设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及/n多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：
升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；
设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及
多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。


2.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述升降平台上升能挂住所述限位部以带动所述顶针上升，所述升降平台下降能使得所述顶针的顶端伸到所述升降平台的上方。


3.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述基座组件包括多个竖直设置的筒体，每个筒体上设置有一个所述盲孔。


4.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述通孔至少设置3个，所述盲孔至少设置3个，所述顶针至少设置3根，所有所述顶针不设置在同一竖直平面内。


5.如权利要求4所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述顶针设置有三根，每两根所述顶针之间的距离相等。


6.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述半导体加工腔室还包括从升降平台向下延伸的支撑柱，所述支撑柱用于驱动所述升降平台上升和下降。


7.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述升降平台还设置有多个由每个通孔的顶端的内周壁径向向外凸出形成的让位空间，所述限位部能容纳于所述让位空间。


8.如权利要求7所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述让位空间的形状与所述限位部的形状相匹配。

【专利技术属性】
技术研发人员：郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34