石墨盘修补方法技术

本发明专利技术在于提供一种设备与材料成本皆低，修补耗时短的石墨盘修补方法。修补方法包括以下步骤：清除报废石墨盘上蛀孔处，已被氨气蚀刻形成的多孔状石墨，判断出受损范围；通过机械加工，在报废石墨盘上加工出能涵盖受损范围的凹陷部；以由石墨块材加工而成的石墨修补块，对凹陷部进行相应的填补动作，填补完成之后，再加工修整至符合报废石墨盘的原有外型，使其成为报废石墨盘的一部分；以纯硅焊料进行硬焊，接合石墨修补块与报废石墨盘，在石墨修补块表面反应生长出碳化硅，与报废石墨盘原有的碳化硅镀层结合为一体，完成修补，使报废石墨盘能被再次使用。

Repair method of graphite disk

【技术实现步骤摘要】
石墨盘修补方法
本专利技术涉及一种石墨盘修补方法，尤其涉及一种应用于有机金属化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)磊晶炉的石墨盘(GraphiteSusceptor，GraphiteCarrier)的修补方法。
技术介绍
近年来氮化镓(GaN)系列化合物半导体材料，已经被成功应用于发光二极管(LightEmittingDiode,简称LED)照明，并将成为新一代5G行动通讯系统中不可或缺的高频与大功率微波电子组件，未来氮化镓(GaN)电子组件若能大量应用于电力转换设备上，还可在每个变电环节，减少电能耗损，堪称最具发展潜力的第三代半导体材料，而目前商品化的氮化镓(GaN)是半导体光电组件，大都是以MOCVD磊晶技术制作。LED芯片的良率，是由其发光波长的均匀性所决定，MOCVD磊晶炉为了精确调控LED磊晶圆发光波长的均匀性，其石墨盘需配合加热器，提供一优化晶圆温度均匀性，以沉积高质量的磊晶层，故石墨盘为MOCVD磊晶炉中非常重要的一个组件，同时也是LED磊晶厂的主要耗材之一。...

【技术保护点】
1.一种石墨盘修补方法，应用于修复回收的报废石墨盘(300)，所述报废石墨盘(300)包含有一顶面凹设有至少一片坑(110)的石墨底材(10)、及一包覆于所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，且所述报废石墨盘(300)还具有至少一蛀孔(30)，所述蛀孔(30)位于所述碳化硅镀层(20)下方，是由氨气蚀刻石墨底材(10)形成的空孔，其特征在于:包括下列步骤：/n判断步骤(Ⅰ)：清除报废石墨盘(300)上蛀孔(30)处已被氨气蚀刻形成的多孔状石墨(40)，判断出受损范围(1)；/n加工步骤(Ⅱ)：通过机械加工，在报废石墨盘(300)上加工出能涵盖受损范围(1)的凹陷部(2)；/n填补步骤...

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘修补方法，应用于修复回收的报废石墨盘(300)，所述报废石墨盘(300)包含有一顶面凹设有至少一片坑(110)的石墨底材(10)、及一包覆于所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，且所述报废石墨盘(300)还具有至少一蛀孔(30)，所述蛀孔(30)位于所述碳化硅镀层(20)下方，是由氨气蚀刻石墨底材(10)形成的空孔，其特征在于:包括下列步骤：
判断步骤(Ⅰ)：清除报废石墨盘(300)上蛀孔(30)处已被氨气蚀刻形成的多孔状石墨(40)，判断出受损范围(1)；
加工步骤(Ⅱ)：通过机械加工，在报废石墨盘(300)上加工出能涵盖受损范围(1)的凹陷部(2)；
填补步骤(Ⅲ)：以由石墨块材加工而成的石墨修补块(3)，对凹陷部(2)进行相应的填补动作，填补完成之后，再加工修整至符合报废石墨盘(300)的原有外型，使其成为报废石墨盘(300)的一部分；以及
修补步骤(Ⅳ)：以纯硅焊料(4)进行硬焊，接合石墨修补块(3)与报废石墨盘(300)，在石墨修补块(3)表面反应生长出碳化硅，与报废石墨盘(300)原有的碳化硅镀层(20)结合为一体。


2.根据权利要求1所述的石墨盘修补方...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜天渊，
申请(专利权)人：桦榆国际有限公司，
类型：发明
国别省市：塞舌尔;SC