退火组件及退火方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种退火组件及退火方法。其中，所述组件包括：承载面，用于放置所述待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与待退火件的面积相同；至少一个支架，用于固定所述承载面。该组件可以增强退火的均匀性，并且只需一次退火便可，避免了复杂的退火流程，从而提升了工艺效率，同时也避免了传统托盘由于温差导致的碎裂现象。

Annealed components and methods

【技术实现步骤摘要】
退火组件及退火方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种退火组件及退火方法。
技术介绍
在功率器件加工中，注入激活、欧姆接触和肖特基接触都需要快速退火。以SiC器件为例，在退火处理时，通常需要将SiC器件固定在托盘上，具体地，在托盘上开设有用于放置SiC器件的凹槽，将SiC放置在凹槽内。SiC器件快速退火采用硅工艺专用快速退火炉，采用卤素灯热辐射加热。由于SiC晶圆热辐射透射率接近1，常在非退火面沉积SiO2或放置导热性良好的托盘吸收辐射热量，然后由SiO2层或托盘以热传导的方式加热晶圆退火。沉积SiO2方式退火增加了沉积SiO2、退火金属面保护和去除SiO2等工序，降低了工艺效率。采用耐高温的石墨涂覆SiC或纯SiC材质托盘退火，能有效的保证退火均匀性，避免SiC晶圆沾污，但常出现托盘碎裂现象。经分析原因为：为放置晶圆，托盘上挖有凹槽，没有挖槽的地方直接通过吸收热辐射升温，挖槽的地方放置表面沉积金属的SiC晶圆，降低了吸收热辐射的效率，随着将近100℃/S的速度升温，托盘有槽和无槽区会出现巨大的温差，从而导致托盘边缘的温度比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种退火组件，其特征在于，包括：/n承载面，用于放置待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与所述待退火件的面积相同；/n至少一个支架，用于固定所述承载面。/n

【技术特征摘要】
1.一种退火组件，其特征在于，包括：
承载面，用于放置待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与所述待退火件的面积相同；
至少一个支架，用于固定所述承载面。


2.根据权利要求1所述的退火组件，其特征在于，所述承载面的材质为不透明材质。


3.根据权利要求2所述的退火组件，其特征在于，所述承载面与所述待退火件接触的表面的材质与所述待退火件的材质相同或其他不会在退火过程中对所述待退火件造成沾污的材质。


4.根据权利要求1－3中任一项所述的退火组件，其特征在于，所述承载面的厚度小于等于1mm。


5.根据权利要求1所述的退火组件，其特征在于，所述支架包括：
底座；
定位部，固定在所述底座上；
支撑部，垂直固定在所述定位部上；其中，所述支撑部用于固定所述承载面与所述待退火件。


6.一种退火方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦倩倩，吴昊，李玲，赛朝阳，杨霏，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11