巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离原始基底的一侧与第一临时衬底结合。然后，再次对原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底剥离，去除原始基底。最后，通过第一临时衬底，将微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。如此，通过采用临时衬底固定微型发光二极管阵列与逐次腐蚀相结合的方式减少了微型发光二极管阵列巨量转移过程中发生丢失的概率，减小了位移误差，从而提升了良品率。

Large amount transfer method, production method and display device of display device

【技术实现步骤摘要】
巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置
本申请涉及半导体器件制造
，具体而言，涉及一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置。
技术介绍
微型发光二极管(Micro-LED)就是“微”LED(发光二极管)，微型发光二极管阵列显示作为一种新显示技术，与其它显示技术，比如液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)等离子显示(PlasmaDisplayPanel，PDP)等相比，其核心的不同之处在于其采用无机LED作为发光像素。制作好的微小的LED需要转移到做好驱动电路的基底上。无论是电视还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，而像素的尺寸较小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也很低，一块有“亮点”或“暗点”的显示屏无法满足用户需求，所以将这些小像素可靠地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路连接是十分困难、复杂的技术。实际上，“巨量转移”确实是目前Micro-LED商业化上面的一大瓶颈技术。其转移的效率，成功率都决定着商业化的成功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：/n对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底的接触面积减小；/n将所述微型发光二极管阵列远离所述原始基底的一侧与第一临时衬底结合；/n再次对所述原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底剥离，去除所述原始基底；/n通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。/n

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底的接触面积减小；
将所述微型发光二极管阵列远离所述原始基底的一侧与第一临时衬底结合；
再次对所述原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底剥离，去除所述原始基底；
通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。


2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合的步骤包括：
将位于所述第一临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第一临时衬底的一侧与第二临时衬底结合，并分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列；
将位于所述第二临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第二临时衬底的一侧与目标基板结合。


3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述微型发光二极管阵列通过第一粘合层与所述第一临时衬底结合，所述分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列的步骤包括：
加热所述第一粘合层，降低所述第一粘合层与所述微型发光二极管阵列相接触的区域的粘附力，从而分离所述第一临时衬底与所述微型发...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭婵，龚政，潘章旭，刘久澄，龚岩芬，王建太，庞超，胡诗犇，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44