温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。