【技术实现步骤摘要】
光器件晶片的加工方法
本专利技术涉及光器件晶片的加工方法,在光器件晶片的背面上形成规定的深度的切削槽,然后利用研磨垫对光器件晶片的背面进行研磨,从而对研磨后的光器件晶片进行分割。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode:发光二极管)和LD(LaserDiode:激光二极管)等光器件芯片被用于照明器具、各种电子设备的背光等。这些光器件芯片例如是将光器件晶片分割成一个一个而制造的,该光器件晶片是在蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板等晶体生长用的基板的正面上层叠具有n型和p型半导体层的发光层而得到的。作为光器件芯片的制造方法,已知有如下的方法:沿着分割预定线形成从光器件晶片的基板的背面至规定的厚度的改质层,沿着所形成的改质层将光器件晶片分割成光器件芯片,然后对分割后的光器件芯片的背面进行磨削,直至将改质层去除为止(例如,参照专利文献1)。但是,LED和LD等光器件芯片要求进一步提高亮度。为了提高亮度,需要提高发光层的光效率、光的取出效率等。专利文献1:日本特开2005-8
【技术保护点】
1.一种光器件晶片的加工方法,该光器件晶片在基板的正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的多个区域内分别形成有光器件,将该光器件晶片沿着该分割预定线进行分割,其特征在于,/n该光器件晶片的加工方法具有如下的工序:/n切削槽形成工序,利用切削刀具在该基板的背面的与该分割预定线对应的区域形成规定的深度的切削槽;/n研磨工序,一边向该基板的该背面提供研磨液一边通过研磨垫对该基板的该背面进行研磨;/n改质层形成工序,从该基板的该背面侧沿着该切削槽将对于该基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该基板的内部,从而形成改质层;以及/n分割工序,对该基板赋予外力而将该光器件晶片分割成各 ...
【技术特征摘要】
20180810 JP 2018-1518101.一种光器件晶片的加工方法,该光器件晶片在基板的正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的多个区域内分别形成有光器件,将该光器件晶片沿着该分割预定线进行分割,其特征在于,
该光器件晶片的加工方法具有如下的工序:
切削槽形成工序,利用切削刀具在该基板的背面的与该分割预定线对应的区域形成规定的深度的切削槽;
研磨工序,一边向该基板的该背面提供研磨液一边通过研磨垫对该基板的该背面进行研磨;
改质层形成工序,...
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