一种单晶硅片晶圆图形夹角快速识别方法技术

本发明专利技术公开一种单晶硅片图形夹角快速识别方法，包括：在光刻版(1)的对准线条(4)的垂直方向设置相距一定距离的两个等步距一维阵列式识别标尺(5)，将光刻版(1)上的标尺(5)转置至硅片晶圆(2)的主参考边(3)两端，观察读出识别标尺(5)分别与硅片晶圆(2)的主参考边(3)形成的刻度距离(h1、h2)，从而计算得到单晶硅片图形夹角。本发明专利技术的方法通过在光刻版上设置识别标尺，采用光刻工艺中将识别标尺转置到硅片晶圆上，可在显微镜下直接进行夹角定量识别，本发明专利技术的方法简单有效、识别精度高，适宜批量流片制造。

A fast recognition method of the angle between the figures of single crystal silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片晶圆图形夹角快速识别方法
本专利技术属于微机电工艺
，具体涉及一种单晶硅片图形夹角快速识别方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS)中器件的加工流程中图形转置均采用光刻工艺实现。光刻是指利用设计好图形的光刻版对介质上的光刻胶进行选择性的光学辐射和曝光，使光刻胶图形化的交联固化，然后经过显影去除未交联光刻胶，即完成设计图形到单晶硅片晶圆上的图形转置。在此过程中，图形与单晶硅片晶圆的对准至关重要，直接影响关键尺寸的控制，尤其是裸片的第一次光刻对准，由于单晶硅片晶圆表面上无对准图形，又需要将设计图形精确的与单晶硅片晶圆晶向进行对准，硅晶圆的第一次对准精度直接决定了后续的套刻对准、背对准位置精度，可以说第一次硅晶圆裸片光刻对准精度是MEMS工艺中的精度基础。晶圆裸片对准一般采用光刻版上的对准线条与晶圆主参考边对准，对准夹角测量一般采用测量显微镜或影像测量仪等专用仪器设备进行测量，这种方式测量繁琐，工时较长，在批生产中效率较低。
技术实现思路
鉴于现有技术的上述情况，本专利技术的目的是提供一种单晶硅片图形夹角快速识别方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片图形夹角快速识别方法，所述方法包括：在光刻版(1)的对准线条(4)的垂直方向设置相距一定距离的两个等步距一维阵列式识别标尺(5)，将光刻版(1)上的标尺(5)转置至硅片晶圆(2)的主参考边(3)两端，观察读出识别标尺(5)分别与硅片晶圆(2)的主参考边(3)形成的刻度距离(h1、h2)，从而计算得到单晶硅片图形夹角。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片图形夹角快速识别方法，所述方法包括：在光刻版(1)的对准线条(4)的垂直方向设置相距一定距离的两个等步距一维阵列式识别标尺(5)，将光刻版(1)上的标尺(5)转置至硅片晶圆(2)的主参考边(3)两端，观察读出识别标尺(5)分别与硅片晶圆(2)的主参考边(3)形成的刻度距离(h1、h2)，从而计算得到单晶硅片图形夹角。


2.按照权利要求1所述的方法，其中光刻版为玻璃基材或石英基材。


3.根据权利要求1所述的方法，其中阵列识别标尺的刻度数量为2～10个，形状为矩形、圆形或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵坤帅，熊恒，余才佳，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61