【技术实现步骤摘要】
一种硅圆晶连续提取装置
本专利技术涉及硅晶圆加工领域，具体涉及一种硅圆晶连续提取装置。
技术介绍
硅晶圆广泛值得是电子电器的断开和闭合时，进行相互分离和接触的交点，由于金属导体端子在接触的瞬间容易产生瞬间的发热和火花，促使其接触点在使用的多频率过程中，容易产生氧化和电解，故而将其接触点加大加厚，或是采用高分子金属制造（以银和铜两种材料为主），于是，便将这个以高分子金属制成的接触点或者是以同等材料加大加厚的点称为硅晶圆。现有优良的硅晶圆的端部并不是平整的状态，会有一定的弧度凹陷，硅晶圆在加工成型后，端部或多或少会存在一些毛刺，由于硅晶圆的工作特殊性，所以必须对这些毛刺进行去毛刺处理，硅晶圆规格又比较小，硅晶圆的凹陷程度又不一，所以在对端部除毛刺的时候，现有装备实现较为困难，因此可以设计种装置对硅晶圆去毛刺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供硅圆晶连续提取装置，该连续提取装置可以更好地吸附硅晶圆。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种硅圆晶连续提取装置，包括有吸附提取组件，...
【技术保护点】
1.一种硅圆晶连续提取装置，其特征在于，包括有吸附提取组件（1），真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器（1a）和吸附载盘（1b），真空分配器（1a）的输出轴连接有吸附载盘（1b），吸附载盘（1b）用于于吸附硅晶圆，吸附载盘（1b）包括盘体（1b1）以及多个吸孔（1b9），盘体（1b1）包括相反的底面（1b2）与顶面（1b3）、自底面（1b2）的周缘延伸至顶面（1b3）的周缘的围绕面（1b4）、凹陷形成在围绕面（1b4）一侧的沟槽（1b5），沟槽（1b5）延伸至顶面（1b3）以在顶面形成一缺口（1b6），顶面（1b3）供硅晶圆放置，且沟槽（1b5）的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的...
【技术特征摘要】
1.一种硅圆晶连续提取装置，其特征在于，包括有吸附提取组件（1），真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器（1a）和吸附载盘（1b），真空分配器（1a）的输出轴连接有吸附载盘（1b），吸附载盘（1b）用于于吸附硅晶圆，吸附载盘（1b）包括盘体（1b1）以及多个吸孔（1b9），盘体（1b1）包括相反的底面（1b2）与顶面（1b3）、自底面（1b2）的周缘延伸至顶面（1b3）的周缘的围绕面（1b4）、凹陷形成在围绕面（1b4）一侧的沟槽（1b5），沟槽（1b5）延伸至顶面（1b3）以在顶面形成一缺口（1b6），顶面（1b3）供硅晶圆放置，且沟槽（1b5）的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽（1b5），吸孔（1b9）贯穿盘体（1b1）的底面（1b2）与顶面（1b3）；
角度调节组件（2），设置在吸附提取组件（1）的侧部，用于调节吸附提取组件（1）的角度，以适应硅晶圆的端部，包括角度调节器（2a）和安装座（2b），真空分配器（1a）的侧部设有支撑架（2c），支撑架（2c）上安装有角度调节器（2a），支撑架（2c）上设有安装架（2d），安装座（2b）的一端与安装架（2d）铰接，安装座（2b）的另一端与角度调节器（2a）的输出轴铰接，安装座（2b）上安装有真空分配器（1a），真空分配器（1a）设置在安装座（2b）远离安装架（2d）的一端，吸附载盘（1b）延伸出安装座（2b）端部外；
高度调节组件（3），设置在吸附提取组件（1）的侧部并固定在角度调节组件（2）上，用于调节吸附提取组件（1）的高度，以适应硅晶圆的端部，包括高度调节器（3a），安装座（2b）上固定有高度调节器（3a），高度调节器（3a）的输出轴传动连接有真空分配器（1a），并带动真空分配器（1a）靠近或者远离安装架（2d）。
2.根据权利要求1所述的硅圆晶连续提取装置，其特征在于，安装座（2b）设置为Z字型，包括第一安装座（2b1）和第二安装座（2b2），第一安装座（2b1）的一端与第二安装座（2b2）的一端一体化相固定并交错设置，第二安装座（2b2）...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱波，
申请(专利权)人：苏师大半导体材料与设备研究院邳州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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