封装堆叠结构及其制法暨封装结构制造技术

一种封装堆叠结构及其制法暨封装结构，先提供一设有承载件的线路结构及一设有电子元件的承载结构，再将该线路结构以多个导电元件结合至该承载结构上，且形成封装层于该线路结构与该承载结构之间，以令该封装层包覆该些导电元件与该电子元件，之后移除该承载件，俾经由该承载件的配置，以强化该线路结构的结构强度，因而于堆叠该线路结构至该承载结构前，能避免该线路结构发生翘曲的问题。

Packaging stack structure and its fabrication and packaging structure

【技术实现步骤摘要】
封装堆叠结构及其制法暨封装结构
本专利技术有关一种半导体封装制程，尤指一种封装堆叠结构及其制法暨封装结构。
技术介绍
随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductordevice)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，业界遂发展出堆叠多个封装结构以形成封装堆叠结构(PackageonPackage，简称POP)的封装型态，此种封装型态能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，经由堆叠设计达到系统的整合，而适用于各种轻薄短小型电子产品。图1为悉知封装堆叠结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆叠结构1包含有第一半导体元件10、第一封装基板11、第二封装基板12、多个焊球13、第二半导体元件14以及封装胶体15。该第一封装基板11具有核心层110与多个线路层111，且该第二封装基板12具有核心层120与多个线路层121。该第一半导体元件10以覆晶方式设于该第一封装基板11上，且该第二半导体元件14也以覆晶方式设于该第二封装基板12上。该些焊球13用以连结且电性耦接该第一封装基板11与该第二封装基板12。该封装胶体15包覆该些焊球13与该第一半导体元件10。可选择性地，形成底胶16于该第一半导体元件10与该第一封装基板11之间。惟，前述悉知封装堆叠结构1中，第一封装基板11与第二封装基板12皆具有核心层110,120，导致其制作成本高，且该封装堆叠结构1的厚度H约为620微米，不符现今产品轻薄短小化的需求。因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的缺失，本专利技术提供一种封装堆叠结构及其制法暨封装结构，能避免该线路结构发生翘曲的问题。本专利技术的封装堆叠结构，包括：承载结构，其定义有相对的第一侧与第二侧，其中，该承载结构的第一侧设有至少一电子元件；以及线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面，且该第一表面设有承载件，而该第二表面以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上。前述的封装堆叠结构中，复包括封装层，其形成于该线路结构与该承载结构之间，以包覆该些导电元件与该电子元件。本专利技术还提供一种封装堆叠结构的制法，包括：提供一设有承载件的线路结构及一承载结构，其中，该承载结构定义有相对的第一侧与第二侧，且该承载结构的第一侧设有至少一电子元件；将该线路结构以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上，且形成封装层于该线路结构与该承载结构之间，以令该封装层包覆该些导电元件与该电子元件；以及移除该承载件。前述的制法中，该些导电元件先设于该线路结构上，再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。前述的制法中，该些导电元件先设于该承载结构上，再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。前述的制法中，该线路结构于结合该承载结构前为已切单型态，该承载结构于结合该线路结构前为整版面型态。前述的制法中，该线路结构于结合该承载结构前为整版面型态，该承载结构于结合该线路结构前为整版面型态。前述的制法中，该线路结构于结合该承载结构前为整版面型态，该承载结构于结合该线路结构前为已切单型态。前述的制法中，于移除该承载件后，进行切单。前述的制法中，该线路结构于结合该承载结构前为已切单型态，该承载结构于结合该线路结构前为已切单型态。前述的封装堆叠结构及其制法中，该承载件为硅晶圆，其接触结合该线路结构的介电材。例如，以研磨方式移除该承载件。前述的封装堆叠结构及其制法中，该线路结构为线路重布层结构。前述的封装堆叠结构及其制法中，该线路结构具有相对的第一表面与第二表面，且该第一表面结合于该承载件上，而该第二表面配置有多个堆叠接点，以结合该些导电元件。前述的封装堆叠结构及其制法中，该承载件为玻璃，其以结合层接触结合该线路结构的介电材。例如，以剥离方式移除该承载件及该结合层。前述的封装堆叠结构及其制法中，该线路结构具有相对的第一表面与第二表面，且该第二表面结合于该承载件上，而该第一表面配置有多个堆叠接点，以结合该些导电元件。前述的封装堆叠结构及其制法中，该导电元件为焊球、金属柱或包覆有绝缘块的金属凸块。本专利技术还提供一种封装结构，包括：线路结构，其具有相对的两侧；承载件，其设于该线路结构的其中一侧；以及导电元件，其设于该线路结构的另一侧以电性连接该线路结构。前述的封装结构中，该承载件为硅晶圆，其接触结合该线路结构的介电材。前述的封装结构中，该承载件为玻璃，其以结合层接触结合该线路结构的介电材。前述的封装结构中，该线路结构为线路重布层结构。前述的封装结构中，该导电元件为焊球、金属柱或包覆有绝缘块的金属凸块。由上可知，本专利技术的封装堆叠结构及其制法暨封装结构，主要经由该承载件的配置，以强化该线路结构的结构强度，故相较于悉知技术，若将本专利技术的线路结构设计为无核心层式，不仅能大幅降低该封装堆叠结构的整体厚度，且于堆叠该线路结构至该承载结构前，能避免该线路结构发生翘曲的问题。附图说明图1为悉知封装堆叠结构的剖面示意图。图2A至图2F为本专利技术的封装堆叠结构的制法的第一实施例的剖视示意图。图2A’及图2A”为图2A的不同实施例的局部放大示意图。图2B’为图2B的另一实施例的局部放大示意图。图2C’至2E’为图2C至图2E的另一实施例。图3A至图3E为本专利技术的封装堆叠结构的制法的第二实施例的剖视示意图。图3B’及图3B”为图3B的不同实施例。图3C’至图3D’为图3B’的后续制程。图4A至图4D为本专利技术的封装堆叠结构的制法的第三实施例的剖视示意图。图5A至图5C为本专利技术的封装堆叠结构的制法的第四实施例的剖视示意图。符号说明1,2,2’,4,4’,4”封装堆叠结构10第一半导体元件11第一封装基板110,120核心层111,121线路层12第二封装基板13焊球14第二半导体元件15封装胶体16底胶2”封装结构2a,2a’线路结构20第一承载件20’第二承载件20a离形层20b结合层200介电层200’沟槽21线路部21a第一表面21b第二表面210介电体211线路层212,212’堆叠接点212a导电层212b金属块22金属层29,29’,29”金属结构29a第一金属层29b第二金属层29c第三金属层290堆叠接点3,3’封装组件3a,3a’承载结构30a第一侧30b第二侧32绝缘层33布线层330电性连接垫34绝缘保护层35导电凸块40,44电子元件40a作用面40b非作用面400电极垫41封装层42外接元件43焊锡材料45导电元件H,L,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装堆叠结构，其特征在于，该封装堆叠结构包括：/n承载结构，其定义有相对的第一侧与第二侧，其中，该承载结构的第一侧设有至少一电子元件；以及/n线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面，且该第一表面设有承载件，而该第二表面以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上。/n

【技术特征摘要】
20180801 TW 107126730;20180914 TW 1071324301.一种封装堆叠结构，其特征在于，该封装堆叠结构包括：
承载结构，其定义有相对的第一侧与第二侧，其中，该承载结构的第一侧设有至少一电子元件；以及
线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面，且该第一表面设有承载件，而该第二表面以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上。


2.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该承载件为硅晶圆，其接触结合该线路结构的介电材。


3.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该线路结构为线路重布层结构。


4.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该线路结构的第二表面配置有多个堆叠接点，以结合该些导电元件。


5.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该承载件为玻璃，其以结合层接触结合该线路结构的介电材。


6.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该封装堆叠结构还包括封装层，其形成于该线路结构与该承载结构之间，以包覆该些导电元件与该电子元件。


7.根据权利要求1所述的封装堆叠结构，其特征在于，该导电元件为焊球、金属柱或包覆有绝缘块的金属凸块。


8.一种封装堆叠结构的制法，其特征在于，该制法包括：
提供一设有承载件的线路结构及一承载结构，其中，该承载结构定义有相对的第一侧与第二侧，且该承载结构的第一侧设有至少一电子元件；
将该线路结构以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上，且形成封装层于该线路结构与该承载结构之间，以令该封装层包覆该些导电元件与该电子元件；以及
移除该承载件。


9.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法，其特征在于，该些导电元件先设于该线路结构上，再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。


10.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法，其特征在于，该些导电元件先设于该承载结构上，再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。


11.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法，其特征在于，该承载件为硅晶圆，其接触结合该线路结构的介电材。


12.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法，其特征在于，该承载件的移除以研磨方式为之。


13.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法，其特征在于，该线路结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：林长甫，陈汉宏，萧人杰，林荣政，余国华，张宏达，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71