一种芯片转移方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开一种芯片转移方法，包括以下步骤：在第一基板上形成金属走线；在所述金属走线上形成走线焊盘；在所述走线焊盘周围形成粘附部，其中所述粘附部的高度高于所述走线焊盘的高度；将多个芯片进行批量转移，其中每个芯片包括电极焊盘和本体部，所述电极焊盘与对应走线焊盘对准，所述本体部的至少部分表面粘附在对应的粘附部上；使用第二基板压合在所述多个芯片背离所述第一基板的一侧；加热，以使得所述走线焊盘和对应的电极焊盘电连接；去除所述第二基板。本发明专利技术解决了芯片转接于基板上所面临的键合问题，不仅可降低转接设备的技术门槛与成本，也可以提高转接良率，在实现上也不需要多出成本支出。

A chip transfer method and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移方法及半导体器件
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种芯片转移方法及半导体器件。
技术介绍
Microdisplay技术是近年来新的显示技术，虽然具备自发光、低功耗、色彩饱和度高等优点，但其发展以来在批量转移与芯片结构效率等方面还有众多问题需要克服，各厂商与研究单元也各自提出了不同的解决方案。一般批量转移后的芯片，若要与基板焊接形成电性连接，通常需要基板或者转接头具备加热功能，若是选择用图章转移等不具备加热功能的转移技术，芯片的结构就会因此受限，很难选用flip-chip(倒装芯片)或是vertical(垂直)结构，此外，即便转接头可以加热，在microchip对位精确度高要求的情况下，也可能因为加热产生膨胀形变而造成放置误差。再者，一般转接头皆小于基板大小，整面基板通常需要经过多次的转移，每次都需要加热冷却的转移制程也会造成生产效率低落。现有技术中，公开号为US201302100194的专利申请中，公开了一种MEMS结构转接头，具备加热功能，基板亦可加热，在转接芯片到基板后，通过转接头与基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在第一基板上形成金属走线；/n在所述金属走线上形成走线焊盘；/n在所述走线焊盘周围形成粘附部，其中所述粘附部的高度高于所述走线焊盘的高度；/n将多个芯片进行批量转移，其中每个芯片包括电极焊盘和本体部，所述电极焊盘与对应走线焊盘对准，所述本体部的至少部分表面粘附在对应的粘附部上；/n使用第二基板压合在所述多个芯片背离所述第一基板的一侧；/n加热，以使得所述走线焊盘和对应的电极焊盘电连接；/n去除所述第二基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一基板上形成金属走线；
在所述金属走线上形成走线焊盘；
在所述走线焊盘周围形成粘附部，其中所述粘附部的高度高于所述走线焊盘的高度；
将多个芯片进行批量转移，其中每个芯片包括电极焊盘和本体部，所述电极焊盘与对应走线焊盘对准，所述本体部的至少部分表面粘附在对应的粘附部上；
使用第二基板压合在所述多个芯片背离所述第一基板的一侧；
加热，以使得所述走线焊盘和对应的电极焊盘电连接；
去除所述第二基板。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述使用第二基板压合在所述多个芯片背离所述第一基板的一侧步骤之前还包括以下步骤：
在盖板上形成阵列分布的黑矩阵，所述黑矩阵的位置与所述多个芯片中相邻芯片之间的空隙的位置相匹配；
在所述黑矩阵上形成反射层；
在所述多个芯片背离所述第一基板的一侧形成光合胶层，覆盖所述多个芯片；
将所述盖板设置在所述光合胶层上，以使得所述黑矩阵处于所述相邻芯片之间的空隙中。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述芯片为微LED芯片，所述电极焊盘包括微LED芯片的阳极焊盘和阴极焊盘；
所述走线包括阳极走线和阴极走线，所述走线焊盘包括阳极走线焊盘和阴极走线焊盘；
所述阳极焊盘与所述阳极走线焊盘对准，所述阴极焊盘与所述阴极走线焊盘对准。


4.根据权利要求1中任一项所述的方法，其特征在于，
所述粘附部由光刻胶、硅基胶或环氧树脂胶制成。


5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述粘附部的折射率介于空气和所述芯片的折射率之间。


6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，
所述走线焊盘的材料从如下组中选择或其复合金属：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，董恩凯，翟明，李沛，孙海威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11