芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明专利技术解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

Method, device and system for measuring MOS technological angle of chip

The invention discloses a method, a device and a system for measuring the MOS process angle of a chip. Among them, the method comprises: a driving voltage detection chip to measure the driving voltage of input voltage of the voltage controlled oscillator PLL measurement chip ring; determine the drive voltage is in a steady state; when the driving voltage is in a stable state when the driving voltage and the process angle to judge the threshold size, get the results of the comparison, the process angle to judge the threshold for type to distinguish process measurement chip angle is determined according to the comparison result; MOS process chip angle. The invention solves the technical problems of the complex method of the MOS process angle of the existing measuring chip.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片的MOS工艺角测量领域，具体而言，涉及一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。
技术介绍
在集成电路制造的过程中，由于工艺的偏差，生产出来芯片有不同的工艺角，芯片中各模块的性能受工艺角的偏差变化明显，为了达到符合要求的性能，需要在出厂时进行测量并微调，图1是根据现有技术的一种芯片的NMOS工艺角的测量电路的结构图，该电路由一个偏置电路和一个判断电路组成，其工作原理是一个不随工艺角变化的恒流源Ibn给NMOS提供电流偏置产生电压Vgsn，Vgsn的电压随工艺角变化，NMOS在slow工艺角时Vgsn最大为Vgsmax，在fast工艺角时Vgsn最小为Vgsmin，在typical工艺角时Vgsn介于Vgsmax和Vgsmin之间，通过合理设置Vsn和Vfn，使Vsn和Vfn满足关系式Vgsmax>Vsn>Vfn>Vgsmin，该电路就能鉴别出NMOS的工艺角。当Vgsn>Vsn时SN＝1，TN＝0，FN＝0，表示NMOS是slow工艺角；当Vgsn<Vfn时SN＝0，TN＝0，FN＝1，表示NMOS是fast工艺角；否则SN＝0，TN＝1，FN＝0，表示NMOS是typical工艺角。这种检测电路采用了NMOS的直流特性鉴别工艺角。相同地，可以借鉴该电路完成PMOS的工艺角的检测，上述检测方法增加了芯片的量产成本和降低了量产效率。针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统，以至少解决现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法，包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断所述驱动电压是否处于稳定状态；在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。进一步地，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。进一步地，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种芯片的MOS工艺角的测量装置，包括：检测单元，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断单元，用于判断所述驱动电压是否处于稳定状态；比较单元，用于在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；确定单元，用于根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow，所述比较单元包括：第一比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第一确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，所述比较单元包括：第二比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第二确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，所述比较单元包括：第三比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第三确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，所述比较单元包括：第四比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第四确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，所述比较单元包括：第五比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；所述确定单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的MOS工艺角的测量方法，其特征在于，包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断所述驱动电压是否处于稳定状态；在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的MOS工艺角的测量方法，其特征在于，包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断所述驱动电压是否处于稳定状态；在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。8.根据权利要求1至7任意一项所述的方法，其特征在于，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。9.一种芯片的MOS工艺角的测量装置，其特征在于，包括：检测单元，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断单元，用于判断所述驱动电压是否处于稳定状态；比较单元，用于在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；确定单元，用于根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，所述比较单...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭新朝，易冬柏，张亮，徐以军，冯玉明，李建勋，殷惠萍，谢育桦，周佳，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44