半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：支撑框架，包括腔；半导体芯片，设置在所述腔中，并具有布置有接触焊盘的有效表面；以及连接构件，位于所述支撑框架和所述半导体芯片的所述有效表面上。所述半导体芯片包括：第一绝缘膜，设置在所述有效表面上并使所述接触焊盘暴露；第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜上并包括使所述接触焊盘的连接区域暴露的第一开口；以及导电防裂层，设置在所述连接区域上并具有外周区域，所述外周区域延伸到围绕所述第一开口的所述第二绝缘膜的一部分上。所述连接构件包括：绝缘层，包括使所述连接区域暴露的第二开口；以及重新分布层，通过所述第二开口连接到所述接触焊盘。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年8月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0093929号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
已经积极地研究了用于实现装置轻量、纤薄和紧凑的封装技术。在这方面，对于确保封装件在制造工艺或使用环境中抵抗热应力的可靠性是非常重要的。这种热应力可能在不同材料之间的接触点处集中发生。具体地，在半导体芯片的重新分布层和钝化膜彼此接触的点处发生的应力可能引起严重的可靠性问题，诸如，引起裂纹。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种半导体封装件，在该半导体封装件中，可减少由于热应力导致的可靠性劣化。根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：支撑框架，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括连接所述第一表面和所述第二表面的腔；半导体芯片，设置在所述腔中，并具有布置有接触焊盘的有效表面；以及连接构件，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上。所述半导体芯片包括：第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n支撑框架，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括连接所述第一表面和所述第二表面的腔；/n半导体芯片，设置在所述腔中，并具有布置有接触焊盘的有效表面；以及/n连接构件，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上，/n其中，所述半导体芯片包括：/n第一绝缘膜，设置在所述有效表面上并使所述接触焊盘暴露；重新分布层图案，连接到所述接触焊盘并延伸到所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，设置在所述有效表面上并包括使所述重新分布层图案的连接区域暴露的第一开口；以及导电防裂层，设置在所述连接区域上并具有外周区域，所述外周区域延伸到围绕所述第一开口的所述第二绝缘...

【技术特征摘要】
20180810 KR 10-2018-00939291.一种半导体封装件，包括：
支撑框架，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括连接所述第一表面和所述第二表面的腔；
半导体芯片，设置在所述腔中，并具有布置有接触焊盘的有效表面；以及
连接构件，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上，
其中，所述半导体芯片包括：
第一绝缘膜，设置在所述有效表面上并使所述接触焊盘暴露；重新分布层图案，连接到所述接触焊盘并延伸到所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，设置在所述有效表面上并包括使所述重新分布层图案的连接区域暴露的第一开口；以及导电防裂层，设置在所述连接区域上并具有外周区域，所述外周区域延伸到围绕所述第一开口的所述第二绝缘膜的一部分上，并且
所述连接构件包括：
绝缘层，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括使所述连接区域暴露的第二开口；以及重新分布层，通过所述第二开口连接到所述连接区域。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层的所述外周区域设置在所述绝缘层和所述第二绝缘膜之间。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层的所述外周区域具有至少5μm的宽度。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层具有等于1μm或更小的厚度。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层包括钛和钨中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积，并且所述第二开口使所述导电防裂层的所述外周区域部分地暴露。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括种子层和设置在所述种子层上的镀层。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层利用与所述种子层的材料相同的材料形成。

【专利技术属性】
技术研发人员：朴智恩，朴美珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR