一种半导体器件及其制造封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明专利技术将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。

A semiconductor device and its manufacturing and packaging method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造封装方法
本专利技术属于电子器件
，具体涉及一种半导体器件及其制造封装方法。
技术介绍
半导体器件通常要经过芯片制造与芯片封装两部分加工过程，因此，芯片自身的特性以及封装技术的优劣都直接决定了半导体器件产品最终的性能。半导体器件封装是将流片完成后的裸芯片进行机械保护、电性保护、内部电路引出等工作，其主要工艺流程大致可以分为芯片焊接、导线焊接、环氧树脂注塑、切脚成型、产品测试。伴随着芯片加工技术集成度与精细度的不断提升，芯片自身的性能已经有了较大进步，但是封装技术却仍然存在很多问题，如在环氧树脂注塑流程中，由于发射极焊接的铝线较粗，铝线下方容易产生气孔和熔接线，该注塑缺陷导致半导体器件在冷热工况下出现可靠性失效，如芯片脱层、环氧树脂胶体开裂、水汽入侵、离子污染芯片等问题，导致芯片损坏，无法正常工作。中国专利号为CN104112678B的专利技术专利，公开了一种智能功率模块的制造方法，其包括步骤：S1)提供半成品智能功率模块；S2)提供引线框架结构；S3)焊接各个固定脚并使固定脚与电引脚分别位于基板的相对两侧；S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括芯片座和引脚，该芯片座用于承载固定芯片，该引脚使芯片与外部实现电性连接，其特征在于：还包括导流引线，所述导流引线两端分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，且浇注口设置于靠近导流引线的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括芯片座和引脚，该芯片座用于承载固定芯片，该引脚使芯片与外部实现电性连接，其特征在于：还包括导流引线，所述导流引线两端分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，且浇注口设置于靠近导流引线的一侧。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的芯片包括三个电极，分别为栅极、集电极和发射极，所述引脚包括与芯片电极对应连接的栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述发射极引脚与发射极连接的引线为发射极引线，该发射极引线为导流引线。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述导流引线自一端向另一端向上弯曲形成弯曲线弧结构，弯曲线弧高度为750～1000um。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的导流引线为金属引线。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的芯片通过结合件固定在芯片座上。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述的结合件为锡膏、锡线、纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：江伟，史波，敖利波，梁赛嫦，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44