一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备，该装饰结构包括：光阻层，设置在集成电路芯片的上方，光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，光阻层的上表面形成有凹槽；第二折射率层，设置在光阻层的上方以覆盖光阻层的上表面，第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；其中，第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。本实用新型专利技术直接在集成电路芯片上设置的光阻层上进行光学蚀刻从而加工形成纹理图案，不需要纹理模板和转印，加工简单，图案灵活，生产效率高且纹理结构更清晰。

A kind of decoration structure and electronic equipment of IC chip

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备
本专利技术涉及装饰领域，尤其涉及一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备。
技术介绍
集成电路(IC)芯片被广泛用于电子产品中，IC芯片在某些情况下需要直接面对用户，从而需要在IC芯片的表面上进行装饰以提升产品的美观程度。对IC芯片的装饰有些通过油墨印刷来实现，改变IC芯片表面的颜色，但通过油墨印刷不能实现立体的纹理效果；有些在IC芯片表面上设置纹理结构来实现高光和炫彩效果，但纹理结构的加工先将纹理图案加工到纹理模板上，然后在纹理模板上涂上UV胶，通过UV转印把纹理图案复制到IC芯片表面，加工繁琐且必须有模板。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备，以解决集成电路芯片的外观装饰效果单一和加工繁琐的技术问题。为达到上述目的，本技术实施例提供一种集成电路芯片的装饰结构，该装饰结构包括：光阻层，设置在所述集成电路芯片的上方，所述光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，所述光阻层的上表面形成有凹槽；第二折射率层，设置在所述光阻层的上方以覆盖所述光阻层的上表面，所述第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；其中，所述第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。其中，所述凹槽具有多个，多个所述凹槽中的至少部分凹槽的深度和/或宽度相同。其中，所述第二折射率层至少填充每个所述凹槽的部分。其中，相邻凹槽之间的间距相同。其中，所述凹槽的深度为纳米级或微米级。其中，所述第二折射率层的上表面为平面。其中，所述装饰结构还包括设置在所述第二折射率层上方的保护层，所述保护层覆盖所述平面。其中，所述集成电路芯片包括设置在所述集成电路芯片的上表面的油墨层，所述光阻层覆盖所述油墨层。其中，所述油墨层包括多层层叠结构。本技术实施例还提供了一种电子设备，包括：集成电路芯片和上述的装饰结构。本技术实施例所提供的集成电路芯片的装饰结构及电子设备，通过在集成电路芯片上方层叠设置光阻层和第二折射率层，光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，能够通过光学掩膜加工方式或电子束、激光直接雕刻等方式在光阻层的上表面形成凹槽，从而构成纹理图案；通过在光阻层上设置折射率不同的第二折射率层，不同折射率能够展现光阻层凹槽形成的纹理图案的外观效果。并且直接在集成电路芯片上设置的光阻层上进行光学掩膜加工或电子束、激光直接雕刻等加工形成纹理图案，不需要纹理模板和转印，加工简单，图案灵活，生产效率高且纹理结构更清晰。附图说明图1为本技术实施例提供的集成电路芯片的装饰结构的示意图；图2为本技术另一种实施例提供的集成电路芯片的装饰结构的示意图。附图标记说明：1、集成电路芯片；2、光阻层；3、第二折射率层；4、保护层。具体实施方式在具体实施方式中所描述的各个具体技术特征和各实施例，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，例如通过不同的具体技术特征/实施例的组合可以形成不同的实施方式，为了避免不必要的重复，本技术中各个具体技术特征/实施例的各种可能的组合方式不再另行说明。在以下的描述中，所涉及的术语“第一\第二”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本技术实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。应该理解的是，所涉及的方位描述“上方”、“下方”均为正常使用状态时的方位。需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。本技术实施例提供一种集成电路芯片的装饰结构，该装饰结构可用于各种IC芯片的表面装饰，并不限制IC芯片的规格、型号以及所使用的产品，例如IC芯片可以是移动终端上的指纹识别芯片。如图1所示，本技术实施例的装饰结构包括层叠设置的光阻层2和第二折射率层3。其中，光阻层2设置在集成电路芯片1的上方；具体的，集成电路芯片1的上表面为平面，光阻层2的下表面与集成电路芯片1的上表面紧贴。光阻层2由具有第一折射率的光阻剂构成，光阻层2的上表面形成有凹槽；具体的，光阻剂可以是正光阻或负光阻，光阻剂主要由树脂、感光剂、溶剂三种成分混合而成。将光阻剂直接设置在集成电路芯片1的上方，能够通过光学掩膜加工方式或电子束、激光直接雕刻等方式在直接在光阻层1的上表面加工凹槽、台阶、凸起等，形成纹理图案，从而不需要使用纹理模板以及UV转印等即可直接在IC芯片上构造纹理图案。第二折射率层3设置在光阻层2的上方以覆盖光阻层2的上表面，第二折射率层3具有不同于第一折射率的第二折射率；具体的，覆盖是指遮盖所包括的范围，即第二折射率层3遮盖光阻层2的整个上表面的范围，但并不要求第二折射率层3的每一点都需要与光阻层2接触。由于第二折射率层3与光阻层2的折射率不同且覆盖光阻层2的整个上表面，从而能够保护并维持光阻层2形成的纹理图案的视觉效果。此外，第二折射率层3还可以具有颜色，可以是单色或者是多色，以进一步的提升IC芯片的美观效果；具体的，加工第二折射率层3可以采用多种方式，包括镀膜、喷涂、转印等，涉及的材料可采用多种镀膜介质、UV胶、透明油墨等。第二折射率层3至少填充凹槽的部分，包括如图1所示的将凹槽形成的所有空间都填满，或者也可以只将凹槽形成的空间部分填满，根据预设的IC芯片的外观，可以在第二折射率层3覆盖光阻层2以实现保护作用的基础上，选择采用不同的填充方式。本技术实施例直接在集成电路芯片上设置的光阻层上进行光学蚀刻加工形成纹理图案，不需要纹理模板和转印，并通过不同折射率的第二折射率覆盖光阻层2从而保护纹理图案形成的视觉效果，使得IC芯片的装饰结构加工简单，生产效率高且纹理结构更清晰。可选的，如图1所示，凹槽具有多个；凹槽是指底部两侧均具有高度高于底部的侧面所形成的结构，除此之外，光阻层2上表面还可以具有台阶，台阶底部仅有一侧具有高度高于底部的侧面。一个凹槽可以另外的其他凹槽连接也可以和一个或者多个台阶连接，从而形成各种不同的纹理图案。其中，多个凹槽中的至少部分凹槽的深度H和/或宽度D相同。具体的，可以所有的凹槽的深度H都是相同的，在凹槽对应的两侧面到底部的距离不相同的情况下，凹槽的深度H指上述距离中的较小值。此外，也可以有部分凹槽的深度H和/或宽度D彼此之间是不同的。根据预设的纹理图案效果，可以具体设定每个凹槽的深度H和/或宽度D。可选的，第二折射率层3至少填充每个凹槽的部分。例如，如图1所示，第二折射率层3可以将每个凹槽均填满；也可以将每个凹槽均至填充部分或者有些凹槽填满而其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路芯片的装饰结构，其特征在于，包括：/n光阻层，设置在所述集成电路芯片的上方，所述光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，所述光阻层的上表面形成有凹槽；/n第二折射率层，设置在所述光阻层的上方以覆盖所述光阻层的上表面，所述第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；/n其中，所述第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片的装饰结构，其特征在于，包括：
光阻层，设置在所述集成电路芯片的上方，所述光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，所述光阻层的上表面形成有凹槽；
第二折射率层，设置在所述光阻层的上方以覆盖所述光阻层的上表面，所述第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；
其中，所述第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。


2.如权利要求1所述的装饰结构，其特征在于，所述凹槽具有多个，多个所述凹槽中的至少部分凹槽的深度和/或宽度相同。


3.如权利要求2所述的装饰结构，其特征在于，所述第二折射率层至少填充每个所述凹槽的部分。


4.如权利要求2所述的装饰结构，其特征在于，相邻凹槽之间的间距相同。

【专利技术属性】
技术研发人员：易治明，袁超，徐威，
申请(专利权)人：东莞市光纳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44