一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件技术

本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。

A wafer level packaging segmentation method and wafer level packaging device

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件
本申请涉及半导体封装切割
，特别是涉及一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件。
技术介绍
晶圆级封装是以BGA(BallGridArray，球状引脚栅格阵列封装技术)技术为基础，以晶圆为加工对象，在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试，最后切割成单个的晶圆级封装器件。目前在晶圆级封装工艺过程中，在得到键合好的器件晶圆后，键合好的器件晶圆中相邻的晶圆级封装器件之间存在用于分割封装后芯片的分割区域，利用划片机对分割区域进行切割便得到单个的晶圆级封装器件。但是，在切割过程中容易产生崩边等缺陷，造成晶圆级封装器件的良率降低、成本升高，另一方面，划片机进行划片需要较宽的分割区域，限制了单张晶圆上器件的排布数量，从而使晶圆级封装器件的生产效低，生产升本高。因此，如何解决晶圆级封装工艺中的崩边问题以及单张晶圆上芯片排布数量有限的问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件，以提高晶圆级封装器件良率以及晶圆级封装器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装分割方法，其特征在于，包括：/n获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，其中，所述窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，所述器件层晶圆具有多个分别与所述第一分割凹槽对应的第二分割凹槽和读出电路，以及多个分别与所述功能型凹槽对应的微桥结构；/n研磨所述预处理晶圆的所述窗口层晶圆，直至所述窗口层晶圆的厚度等于或者小于所述第一分割凹槽的深度；/n通过所述读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；/n将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的所述第一分割凹槽和所述第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；/n研磨所述填充后预处理晶圆的所述器件层晶圆，直...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装分割方法，其特征在于，包括：
获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，其中，所述窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，所述器件层晶圆具有多个分别与所述第一分割凹槽对应的第二分割凹槽和读出电路，以及多个分别与所述功能型凹槽对应的微桥结构；
研磨所述预处理晶圆的所述窗口层晶圆，直至所述窗口层晶圆的厚度等于或者小于所述第一分割凹槽的深度；
通过所述读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；
将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的所述第一分割凹槽和所述第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；
研磨所述填充后预处理晶圆的所述器件层晶圆，直至所述器件层晶圆的厚度等于或者小于所述第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；
去除所述待分割晶圆中的所述预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件。


2.如权利要求1所述的晶圆级封装分割方法，其特征在于，所述获得由窗口层晶圆和器件层晶圆通过焊料环键合成的预处理晶圆包括：
获得待处理窗口层晶圆；
刻蚀所述待处理窗口层晶圆形成多个间隔排列的所述功能型凹槽和所述第一分割凹槽，得到所述窗口层晶圆；
获得待处理器件层晶圆；
在所述待处理器件层晶圆的上表面制作多个分别与所述功能型凹槽对应的所述微桥结构和多个分别与所述第一分割凹槽对应的所述读出电路，得到预处理器件层晶圆；
刻蚀所述预处理器件层晶圆形成多个分别与所述第一分割凹槽对应的第二分割凹槽，得到所述器件层晶圆；
将所述窗口层晶圆与所述器件层晶圆进行键合，得到所述预处理晶圆。


3.如权利要求2所述的晶圆级封装分割方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：战毅，孙传彬，董国强，陈文礼，陈文祥，公衍刚，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37