具有暴露的端子区域的树脂封装功率半导体模块制造技术

功率半导体模块（10）包括具有金属化层（18）的衬底（12）；接合到衬底（12）的至少一个功率半导体芯片（14）；以及部分地封装半导体芯片（14）和衬底5（12）的模制封装（26）；其中模制封装（26）包括暴露金属化层（18）的端子区域（38、40）的至少一个窗（36）；并且其中在衬底（12）的边界（28）和窗（36）之间的模制封装（26）的边界部分（34）具有在衬底上方的高度，所述高度小于模制封装（26）的中央部分（32）的最大高度。

Resin encapsulated power semiconductor module with exposed terminal area

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有暴露的端子区域的树脂封装功率半导体模块
本专利技术涉及功率半导体模块、功率半导体模块组合件以及用于制造功率半导体模块的方法。
技术介绍
包含诸如IGBT或MOSFET之类的固态半导体开关的功率半导体模块被用在各种功率电子应用中以对电流进行开关或者整流。重要并且快速增长的应用是用于电动或混合电动载具的变换器系统。用于这样的应用的典型模块可具有高达1200V的电压额定值和几百安培的电流额定值。通常，功率半导体模块要求多个电端子，通过所述多个电端子，DC和AC负载电流被连接到外部汇流条（busbar）。诸如用于控制模块中的半导体芯片的栅极之类的辅助信号端子被连接到外部栅极驱动器电路板。功率端子优选地由铜制成，并且可能需要提供足够的横截面以承载几百安培数量级的电流。用于功率端子的常见技术方案包括到外部汇流条的螺旋连接或焊接（weld）到外部汇流条的引线框架（leadframe）端子。对于较低功率模块的负载连接以及辅助连接，可使用焊连（solder）到电路板的通孔中的引脚、压入配合（press-fit）引脚或弹簧连接。所有这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块（10），包括：/n具有金属化层（18）的衬底（12）；/n接合到所述衬底（12）的至少一个功率半导体芯片（14）；/n部分地封装所述半导体芯片（14）和所述衬底（12）的模制封装（26），其中所述模制封装（26）包括暴露所述金属化层（18）的端子区域（38、40）的至少一个窗（36）；/n用端部（58）接合到所述端子区域（40）的功率端子（54）；/n其中所述模制封装（26）包括中央部分（32），所述中央部分（32）封装所述半导体芯片（14）；/n其中在所述衬底（12）的边界（28）和所述窗（36）之间的所述模制封装（26）的边界部分（34）具有在所述衬底（12）上方的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170502 EP 17169008.41.一种功率半导体模块（10），包括：
具有金属化层（18）的衬底（12）；
接合到所述衬底（12）的至少一个功率半导体芯片（14）；
部分地封装所述半导体芯片（14）和所述衬底（12）的模制封装（26），其中所述模制封装（26）包括暴露所述金属化层（18）的端子区域（38、40）的至少一个窗（36）；
用端部（58）接合到所述端子区域（40）的功率端子（54）；
其中所述模制封装（26）包括中央部分（32），所述中央部分（32）封装所述半导体芯片（14）；
其中在所述衬底（12）的边界（28）和所述窗（36）之间的所述模制封装（26）的边界部分（34）具有在所述衬底（12）上方的高度，所述高度小于所述模制封装（26）的所述中央部分（32）在所述衬底（12）上方的最大高度；
其中所述功率端子（54）的部分（56）在所述边界部分（34）上方在平行于所述衬底（12）的方向上突出，使得所述部分（56）的在所述衬底（12）上方的垂直高度小于所述模制封装（26）的所述中央部分（32）的所述最大高度。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块（10），
其中所述边界部分（34）的在所述衬底（12）上方的所述高度小于导体（21）在所述衬底（12）上方的最大高度，其中所述导体（21）被封装在所述模制封装（26）中并且接合到所述半导体芯片（14）和所述金属化层（18）。


3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块（10），
其中所述边界部分（34）与所述衬底（12）的所述边界（28）重叠。


4.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块（10）；
其中所述模制封装（26）包括至少两个窗（36），每个窗（36）暴露所述金属化层的端子区域（38、40）；
其中所述端子区域（38）中的至少一个是功率端子区域；
其中所述端子区域（40）中的至少一个是辅助端子区域。


5.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块（10）；
其中所述边界部分（34）提供至少两个窗（36）。


6.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块（10），还包括：
具有两个共面导体带（74）的两个功率端子（54）；
其中每个功率端子（54）包括从相应的导体带（74）突出的至少两个脚部（76），使得来自一个功率端子（54）的脚部（76）与来自另一个功率端子（54）的脚部（76）交替；
其中来自所述功率端子（54）的所述脚部（76）接合到端子区域（40）的行（72），所述端子区域（40）中的每个由所述模制封装（26）中的专用窗（36）提供。


7.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块（10），还包括：
辅助端子（48），所述辅助端子（48）用第一端部（50）接合到所述模制封装（26）中的窗（36）中的端子区域（38）并且具有在所述中央部分（32）上方突出的第二端部（52）。


8.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块（10），还包括：
电路板（64），所...

【专利技术属性】
技术研发人员：F莫恩，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，奥迪股份公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH