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功率半导体模块（10）包括具有金属化层（18）的衬底（12）；接合到衬底（12）的至少一个功率半导体芯片（14）；以及部分地封装半导体芯片（14）和衬底5（12）的模制封装（26）；其中模制封装（26）包括暴露金属化层（18）的端子区域（3...该专利属于ABB瑞士股份有限公司;奥迪股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB瑞士股份有限公司;奥迪股份公司授权不得商用。
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