半导体封装制造技术

提供一种半导体封装。半导体封装包括第一基板、布置在第一基板上的第一半导体芯片、布置在第一半导体芯片的侧表面上的第一组至少一个焊球、布置在第一半导体芯片和第一基板上并且与第一组至少一个焊球接触的中介层、以及布置在第一半导体芯片和中介层之间并且被配置为使第一半导体芯片的上表面的至少一部分暴露的粘合层，其中从第一基板的上表面到第一半导体芯片的上表面的第一高度大于第一组至少一个焊球的第二高度。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装相关申请的交叉引用本申请要求2018年8月2日提交的韩国专利申请No.10-2018-0090286的优先权以及从中获得的所有益处，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及半导体封装。
技术介绍
随着电子工业的发展，电子元件的更高性能、更快速操作和/或小型化的需求正在增加。响应于上述趋势，可以使用用于在一个封装基板上堆叠和填充若干半导体芯片的方法或者用于在封装上堆叠另一封装的方法。例如，可以使用堆叠封装(package-in-package,PIP)类型的半导体封装或堆叠组装(package-on-package,POP)类型的半导体封装。
技术实现思路
一些示例实施例提供了POP类型的半导体封装，该半导体封装可包括用于上部封装和下部封装之间的电连接的中介层。中介层可以促进上部封装和下部封装之间的连接，并且减少或防止上部封装和下部封装的变形(warpage)。一些示例实施例提供了通过使用中介层的恢复力来减少或防止变形的可靠性增强的半导体封装。根据一些示例实施例，提供了一种半导体封装，该半导体封装包括第一基板、在第一基板上的第一半导体芯片、在第一半导体芯片的侧表面上的第一组至少一个焊球、在第一半导体芯片和第一基板上并且与第一组至少一个焊球接触的中介层、以及在第一半导体芯片和中介层之间并且配置为使第一半导体芯片的上表面的至少一部分暴露的粘合层，其中从第一基板的上表面到第一半导体芯片的上表面的第一高度大于第一组至少一个焊球的第二高度。根据一些示例实施例，提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一封装，该第一封装包括第一基板和第一半导体芯片，该第一半导体芯片在第一基板上并且在第一基板定位的方向上凸出；第二封装，该第二封装在第一封装上并且包括第二基板和第二半导体芯片，该第二半导体芯片在第二基板上；中介层，该中介层在第一封装和第二封装之间；以及第一组至少一个焊球，该第一组至少一个焊球在第一半导体芯片的侧表面上并且配置为使第一基板和中介层电连接，其中从第一基板的上表面到第一半导体芯片的上表面的第一高度大于第一组至少一个焊球的第二高度。根据一些示例实施例，提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：在下表面定位的方向上凸出的第一基板；在第一基板的上表面上并且包括具有第一宽度的上表面的第一半导体芯片；在第一半导体芯片的上表面上的中介层，该中介层距第一基板的上表面的高度随着远离第一基板的中心而变小；在第一半导体芯片和中介层之间并且包括下表面的粘合层，该下表面具有小于第一半导体芯片的上表面的第一宽度的第二宽度；以及至少部分地围绕在第一基板和中介层之间的粘合层的侧表面和第一半导体芯片的模塑层。本公开旨在解决的目标不限于上述目标，并且基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解以上未提及的其他目标。附图说明通过参照附图详细描述本公开的示例实施例，本公开的上述和其他目的、特征和优点对于本领域普通技术人员而言将变得更加明显，其中：图1是提供用于说明根据一些示例实施例的半导体封装的视图；图2至图6是示出制造的中间阶段的视图，提供用于说明根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法；图7是提供用于说明根据一些其他示例实施例的半导体封装的视图；图8是提供用于说明根据一些其他示例实施例的半导体封装的视图；图9是提供用于说明根据一些其他示例实施例的半导体封装的视图；图10是提供用于说明根据一些其他示例实施例的半导体封装的视图；图11是提供用于说明根据一些其他示例实施例的半导体封装的视图。具体实施方式在本说明书中，下面将描述POP类型的半导体封装；然而，本公开不限于此。在下文中，将参照图1描述根据一些示例实施例的半导体封装。图1是提供用于说明根据一些示例实施例的半导体封装的视图。参照图1，根据一些示例实施例的半导体封装包括第一封装10、中介层150和/或第二封装20。第一封装10可包括第一基板110、第一组至少一个焊球111、第二组至少一个焊球112、第三组至少一个焊球113、第一半导体芯片120、粘合层130和/或第一模塑层140。第一基板110可以是例如印刷电路板(PCB)或陶瓷基板。然而，本公开不限于此。当第一基板110是PCB时，第一基板110可以包括选自酚醛树脂、环氧树脂和聚酰亚胺中的至少一种材料。例如，第一基板110可包括选自FR4、四官能环氧树脂、聚苯醚、环氧/聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪BT、聚醯胺短纤席材、氰酸酯、聚酰亚胺和液晶聚合物中的至少一种材料。可以通过阻焊剂覆盖第一基板110的表面，但是本公开不限于此。第一基板110可包括彼此相对的下表面110a和上表面110b。第一基板110可以被形成为在第一基板110的下表面110a定位的第一方向DR1上凸出。第一基板110可以在第一方向DR1上具有第一厚度t1。第一组至少一个焊球111可以位于第一基板110的下表面110a上。第一组至少一个焊球111可以与布置在第一基板110的下表面上的导电槽(conductivesocket)接触。第一组至少一个焊球111可以在第一方向DR1上从第一基板110的下表面110a凸形地突出。第一组至少一个焊球111可以是用于使第一基板110与另一外部元件电连接的部件。第一组至少一个焊球111可包括例如锡Sn、铅Pb、镍Ni、金Au、银Ag、铜Cu、铋Bi和上述的组合中的至少一种，但是本公开不限于此。第一半导体芯片120可以被布置在第一基板110的上表面110b上。第一半导体芯片120可以是逻辑半导体芯片，用作微处理器。第一半导体芯片120可以是例如中央处理单元(CPU)、控制器或专用集成电路(ASIC)。第一半导体芯片120可以被形成为在第一方向DR1上凸出。第一半导体芯片120可以被布置为与第一基板110平行。然而，本公开不限于此。也就是说，根据一些其他示例实施例，第一半导体芯片120可以被布置成平坦的而没有弯曲。尽管在图1中示出了在第一基板110上仅形成一个半导体芯片，但是本公开不限于此。也就是说，根据一些其他示例实施例，可以在第一基板110上堆叠多个半导体芯片。第二组至少一个焊球112可以被布置在第一基板110的上表面110b上。例如，第二组至少一个焊球112可以被布置在第一基板110的上表面110b和第一半导体芯片120之间。第二组至少一个焊球112可以与布置在第一基板110的上表面110b上的导电槽接触。此外，第二组至少一个焊球112可以与布置在第一半导体芯片120的下表面上的导电槽接触。第二组至少一个焊球112可以使第一基板110和第一半导体芯片120电连接。第二组至少一个焊球112可包括例如锡Sn、铟In、铋Bi、锑Sb、铜Cu、银Ag、锌Zn、铅Pb以及上述的组合中的至少一种，但是本公开不限于此。第三组至少一个焊球113可以被布置在第一半导体芯片120的侧表面上。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：/n第一基板；/n第一半导体芯片，在所述第一基板上；/n第一组至少一个焊球，在所述第一半导体芯片的侧表面上；/n中介层，在所述第一半导体芯片和所述第一基板上并且与所述第一组至少一个焊球接触；和/n粘合层，在所述第一半导体芯片和所述中介层之间并且被配置为使所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分暴露，/n其中从所述第一基板的上表面到所述第一半导体芯片的上表面的第一高度大于所述第一组至少一个焊球的第二高度。/n

【技术特征摘要】
20180802 KR 10-2018-00902861.一种半导体封装，包括：
第一基板；
第一半导体芯片，在所述第一基板上；
第一组至少一个焊球，在所述第一半导体芯片的侧表面上；
中介层，在所述第一半导体芯片和所述第一基板上并且与所述第一组至少一个焊球接触；和
粘合层，在所述第一半导体芯片和所述中介层之间并且被配置为使所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分暴露，
其中从所述第一基板的上表面到所述第一半导体芯片的上表面的第一高度大于所述第一组至少一个焊球的第二高度。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一基板在所述第一基板的下表面定位的方向上凸出，并且
所述中介层在所述中介层的上表面定位的方向上凸出。


3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一基板在所述第一基板的下表面定位的方向上凸出，并且
所述中介层在所述中介层的下表面定位的方向上凸出。


4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一半导体芯片的所述上表面的第一宽度大于所述粘合层的下表面的第二宽度。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述中介层距所述第一基板的所述上表面的高度随着远离所述第一基板的中心而变小。


6.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：
第二基板，在所述中介层的上表面上；和
第二半导体芯片，在所述第二基板的上表面上。


7.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括模塑层，所述模塑层在所述第一基板和所述中介层之间至少部分地围绕所述粘合层的侧表面和所述第一半导体芯片。


8.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括第二组至少一个焊球，所述第二组至少一个焊球在所述第一基板和所述第一半导体芯片之间并且配置为使所述第一基板和所述第一半导体芯片电连接。


9.根据权利要求8所述的半导体封装，进一步包括：
底部填充材料，在所述第一基板和所述第一半导体芯片之间至少部分地围绕所述第二组至少一个焊球的侧表面；和
模塑层，在所述第一基板和所述中介层之间至少部分地围绕所述粘合层的侧表面、所述底部填充材料的侧表面、以及所述第一半导体芯片。


10.一种半导体封装，包括：
第一封装，包括第一基板和第一半导体芯片，所述第一半导体芯片在所述第一基板上并且在所述第一基板定位的方向上凸出；
第二封装，在所述第一封装上并且包括第二基板和在所述第二基板上的第二半导体芯片；
中介层，在所述第一封装和所述第二封装之间；和
第一组至少一个焊球，在所述第一半导体芯片的侧表面上并且配置为使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涩琪，金永培，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR