【技术实现步骤摘要】
一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构
本技术涉及半导体封装
，具体涉及一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构。
技术介绍
半导体芯片的多功能化和小型化已成为大趋势，需要集成封装在一起的芯片种类和数量也日益提高，例如PA/PMU/IoT等应用常常需要将具有不同功能的芯片(裸晶片或无源被动元器件)组装到一起，实现具有一定功能的单个封装件，从而形成一个封装模块或者子模块。目前广泛采用的扇出型封装是对由已经塑封在一起的芯片(包括被动元件，及裸晶片)构成的塑封体上进行重新布线以达到元器件之间的互联封装，该类封装方法在应对数量较多且较复杂多样的芯片与无源被动器件的集成封装时存在诸如翘曲度控制难度较大,精度差,封装面积较大，可靠性不高等问题。而且其用于上下层芯片之间互联的铜柱是通过光刻加电镀的工艺制作出来的，工艺步骤较多，工序复杂且成本相对较高。
技术实现思路
技术目的：本技术的目的在于解决现有的扇出型封装多层芯片的封装方式是采用在塑封层上再次制备重新布线层和塑封层以达到多层封装的目的，但是对于数量较多且较...
【技术保护点】
1.一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构，其特征在于：从上至下依次设置塑封层和重新布线层，塑封层内塑封有若干带有金属触点的第一芯片或器件，在塑封层内对应于重新布线层的上触点处还塑封了若干金属导电柱，金属导电柱的两端，一端与塑封层的表面齐平，另一端与重新布线层的上触点接触，重新布线层的下触点上设置锡球，在塑封层的上表面对应于金属导电柱的露出端处还设有第二芯片或器件。/n
【技术特征摘要】
1.一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构，其特征在于：从上至下依次设置塑封层和重新布线层，塑封层内塑封有若干带有金属触点的第一芯片或器件，在塑封层内对应于重新布线层的上触点处还塑封了若干金属导电柱，金属导电柱的两端，一端与塑封层的表面齐平，另一端与重新布线层的上触点接触，重新布线层的下触点上设置锡球，在塑封层的上表面对应于金属导电柱的露出端处还设有第二芯片或器件。
2.根据权利要求1所述的采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构，其特征在于：所述金属导电柱为圆柱形的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新，蒋振雷，
申请(专利权)人：杭州晶通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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