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一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构制造技术
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下载一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构的技术资料
文档序号:23354413
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本实用新型涉及一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构,从上至下依次设置塑封层和重新布线层,塑封层内塑封有若干带有金属触点的第一芯片或器件,在塑封层内对应于重新布线层的上触点处还塑封了若干金属导电柱,金属导电柱的两端,一端与塑封层的表面齐平,...
该专利属于杭州晶通科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州晶通科技有限公司授权不得商用。
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