本实用新型专利技术公开了一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构，包括可通过设置于预清洁腔体一侧的铰链侧向打开的可开合顶盖，顶盖中央设有能够导通到预清洁腔体内的气孔，顶盖上表面上设有环绕在气孔周向的磁铁环形阵列，气孔通过转接管道连接到远离顶盖铰链侧的在顶盖上竖向设置的第一气孔通道，在顶盖的下表面还设有能够和顶盖进行开合配合的形状大小完全相同的高度调节块，高度调节块为环形，中央为能够和顶盖中央气孔配合的环形通道，对应于顶盖上第一气孔通道的位置，在高度调节块上设置能够连通高度调节块上表面和远离顶盖铰链的侧壁面的L型的第二气孔通道。本实用新型专利技术通过将进气管道布置在预清洁反应腔顶盖中央，大幅提高预清洁的均匀性。提高预清洁的均匀性。提高预清洁的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构
[0001]本技术涉及PVD预清洁腔领域，具体涉及一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构。
技术介绍
[0002]PVD是半导体FAB厂里必备的工艺设备，在PVD设备有个叫预清洁的反应腔，其工作原理是利用氩气产生的等离子体轰击晶圆表面，去除晶圆表面的杂质，从而起到清洁的作用，而去除杂质效率的均匀性就是个很重要的指标。
[0003]PVD设备的各种反应腔，现有工艺气体常规都是从反应腔侧壁进气，其原因是反应腔都有盖子，盖子需要经常开关，而工艺气体的气管是连续的，如果将气管布置在反应腔上方盖子上，每次开关盖子的时候，都要拆开气管，十分不便。但是对于预清洁反应腔，生成等离子气体的氩气从反应腔的侧壁进入墙体，会造成氩气在反应腔内分布不均匀，其产生的等离子体的浓度也不均匀，最终结果导致预清洁的均匀性不好。
技术实现思路
[0004]专利技术目的：本专利技术的目的在于解决现有的气体常规都是从反应腔侧壁进气，会导致预清洁的均匀性不好的问题。
[0005]技术方案：为实现上述目的，本技术提供以下技术方案：
[0006]一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构，包括可通过设置于预清洁腔体一侧的铰链侧向打开的可开合顶盖，顶盖中央设有能够导通到预清洁腔体内的气孔，顶盖上表面上设有环绕在气孔周向的磁铁环形阵列，气孔通过转接管道连接到远离顶盖铰链侧的在顶盖上竖向设置的第一气孔通道，在顶盖的下表面还设有能够和顶盖进行开合配合的形状大小完全相同的高度调节块，高度调节块为环形，中央为能够和顶盖中央气孔配合的环形通道，对应于顶盖上第一气孔通道的位置，在高度调节块上设置能够连通高度调节块上表面和远离顶盖铰链的侧壁面的L型的第二气孔通道。
[0007]本产品适用的气体为氩气。
[0008]通过在顶盖中央设置气孔，使得最终进气能够实现在顶盖中央进气，取代了现有的侧面进气的方式，使得预清洁的均匀性提高。
[0009]磁铁环形阵列用于提高等离子体均匀性。
[0010]进一步地，所述转接管道包括连接在气孔上的进气通路，进气通路的周向边沿设置环形的密封圈，密封圈的周向设置能够将密封圈紧密挤压在进气通路与气孔间间隙处的密封环，进气通路的顶端进气口连接三通转接口，三通转接口顶部封堵，水平方向的接口通过水平支路延伸至第二进气通道的正上方，水平支路远离三通转接口的端部通过垂直转接口连接竖向支管并通过竖向支管的底部连通第二进气通道。
[0011]通过管路的方向和管接改进，使得最终进气的还是通过侧方进气，这样就不用改变现有的进气管方向等产线布局，而只需要对顶盖作出部分的修改，成本低，结构简单。
[0012]进一步地，第二进气通道所在的侧壁面和第一进气通道所在顶盖相同于第二进气通道所在侧壁面同侧的壁面上对应设有对位孔。
[0013]方便对位。
[0014]进一步地，第一进气通道在顶盖的底面进口周向与第二进气通道在高度调节块的上表面出口周向，设置相同的环形垫圈槽。
[0015]进一步地，所述密封环由两个半圆形的半圆密封环共同构成圆形的密封环，密封环上等间隔设置多个供螺栓穿过的第一螺栓孔。
[0016]使得密封环可拆卸，方便对密封圈进行维护，以及对密封环的型号和密封圈的型号以及转接管道的型号等都能够根据需要进行实时修改。
[0017]进一步地，环形垫圈槽中设置能够同时嵌入顶盖的底面环形垫圈槽和高度调节块的上表面环形垫圈槽的环形垫圈。
[0018]提高密封性能。
[0019]进一步地，对应于已经构成了圆形的密封环状态，在顶盖上表面设有对应于密封环上第一螺栓孔位置的第二螺栓孔。
[0020]有益效果：本技术与现有技术相比：
[0021]采用本技术的设计方案，将氩气的进气管道布置在预清洁腔体的顶盖上，从预清洁腔体顶盖的正中心位置进气，达到氩气在预清洁腔体内均匀分布的效果，从而大幅提高预清洁的均匀性。
附图说明
[0022]图1为本技术的结构示意图；
[0023]图2为本技术转接管道处的拆解示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本技术，应理解这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围，在阅读了本技术之后，本领域技术人员对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0025]实施例
[0026]如附图1和附图2所示，一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构，包括可通过设置于预清洁腔体一侧的铰链侧向打开的可开合顶盖1，顶盖1中央设有能够导通到预清洁腔体内的气孔(未图示)，顶盖1上表面上设有环绕在气孔周向的磁铁环形阵列2，气孔通过转接管道连接到远离顶盖1铰链侧的在顶盖1上竖向设置的第一气孔通道(未图示)，在顶盖1的下表面还设有能够和顶盖1进行开合配合的形状大小完全相同的高度调节块3，高度调节块3为环形，中央为能够和顶盖1中央气孔配合的环形通道，对应于顶盖1上第一气孔通道的位置，在高度调节块3上设置能够连通高度调节块3上表面和远离顶盖1铰链的侧壁面的L型的第二气孔通道(未图示)。
[0027]本产品适用的气体为氩气。
[0028]通过在顶盖中央设置气孔，使得最终进气能够实现在顶盖中央进气，取代了现有的侧面进气的方式，使得预清洁的均匀性提高。
[0029]磁铁环形阵列用于提高等离子体均匀性。
[0030]转接管道包括连接在气孔上的进气通路4，进气通路4的周向边沿设置环形的密封圈5，密封圈5的周向设置能够将密封圈5紧密挤压在进气通路与气孔间间隙处的密封环6，进气通路4的顶端进气口连接三通转接口7，三通转接口7顶部封堵，水平方向的接口通过水平支路8延伸至第二进气通道的正上方，水平支路8远离三通转接口的端部通过垂直转接口连接竖向支管9并通过竖向支管9的底部连通第二进气通道。
[0031]通过管路的方向和管接改进，使得最终进气的还是通过侧方进气，这样就不用改变现有的进气管方向等产线布局，而只需要对顶盖作出部分的修改，成本低，结构简单。
[0032]第二进气通道所在的侧壁面和第一进气通道所在顶盖1相同于第二进气通道所在侧壁面同侧的壁面上对应设有对位孔10。
[0033]方便对位。
[0034]第一进气通道在顶盖1的底面进口周向与第二进气通道在高度调节块3的上表面出口周向，设置相同的环形垫圈槽(未图示)。
[0035]密封环6由两个半圆形的半圆密封环共同构成圆形的密封环6，密封环6上等间隔设置多个供螺栓11穿过的第一螺栓孔(未图示)。
[0036]使得密封环可拆卸，方便对密封圈进行维护，以及对密封环的型号和密封圈的型号以及转接管道的型号等都能够根据需要进行实时修改。
[0037]环形垫圈槽中设置能够同时嵌入顶盖1的底面环形垫圈槽和高度调节块3的上表面环形垫圈槽的环形垫圈(未图示)。
[0038]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构，其特征在于：包括可通过设置于预清洁腔体一侧的铰链侧向打开的可开合顶盖，顶盖中央设有能够导通到预清洁腔体内的气孔，顶盖上表面上设有环绕在气孔周向的磁铁环形阵列，气孔通过转接管道连接到远离顶盖铰链侧的在顶盖上竖向设置的第一气孔通道，在顶盖的下表面还设有能够和顶盖进行开合配合的形状大小完全相同的高度调节块，高度调节块为环形，中央为能够和顶盖中央气孔配合的环形通道，对应于顶盖上第一气孔通道的位置，在高度调节块上设置能够连通高度调节块上表面和远离顶盖铰链的侧壁面的L型的第二气孔通道。2.根据权利要求1所述的用于PVD预清洁腔的中央供气顶盖结构，其特征在于：所述转接管道包括连接在气孔上的进气通路，进气通路的周向边沿设置环形的密封圈，密封圈的周向设置能够将密封圈紧密挤压在进气通路与气孔间间隙处的密封环，进气通路的顶端进气口连接三通转接口，三通转接口顶部封堵，水平方向的接口通过水平支路延伸至第二进气通道的正上方，水平支路远离三通转接口的端部通过垂直转接口连接竖向支...
【专利技术属性】
技术研发人员：王蜀豫，
申请(专利权)人：杭州晶通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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