半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种能够抑制来自镀覆布线的腐蚀向内部布线前进的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备基板、焊垫电极、内部布线、第1布线、绝缘物、半导体芯片、及第1树脂。基板具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从第1面的端部向上升至第2面的端部的面即侧面。焊垫电极设置在基板的第1面侧。内部布线设置在基板内，且电连接在焊垫电极。第1布线设置在基板内，且在侧面从基板露出。绝缘物设置在第1布线与内部布线之间，将第1布线与内部布线之间分离。半导体芯片设置在第1面，且电连接在焊垫电极。第1树脂被覆半导体芯片。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-148750号(申请日：2018年8月7日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
BGA(BallGridArraypackage，球栅阵列封装)封装等半导体封装是在布线基板上搭载半导体芯片，将半导体芯片与布线基板连接，并利用树脂被覆半导体芯片而形成。在此种半导体封装中，布线基板的接合垫的表面经金属材料进行镀覆处理。在使用电镀法对接合垫的表面进行镀覆处理的情况下，为了对接合垫施加电压，必须设置电连接在接合垫的镀覆布线。镀覆布线共同设置在单片化前的多个布线基板，在同时对多个布线基板进行镀覆处理时被用作电极。镀覆处理后，当对布线基板进行单片化时，位于切割线的镀覆布线被去除，但一部分镀覆布线残留在布线基板并从布线基板的外侧面露出。
技术实现思路
实施方式提供一种能够抑制来自镀覆布线的腐蚀向内部布线前进的半导体装置及其制造方法。本实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n基板，具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即侧面；/n焊垫电极，设置在所述基板的第1面侧；/n内部布线，设置在所述基板内，并电连接在所述焊垫电极；/n第1布线，设置在所述基板内，并在所述侧面从所述基板露出；/n绝缘物，设置在所述第1布线与所述内部布线之间，将所述第1布线与所述内部布线之间分离；/n半导体芯片，设置在所述第1面，并电连接在所述焊垫电极；以及/n第1树脂，被覆所述半导体芯片。/n

【技术特征摘要】
20180807 JP 2018-1487501.一种半导体装置，具备：
基板，具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即侧面；
焊垫电极，设置在所述基板的第1面侧；
内部布线，设置在所述基板内，并电连接在所述焊垫电极；
第1布线，设置在所述基板内，并在所述侧面从所述基板露出；
绝缘物，设置在所述第1布线与所述内部布线之间，将所述第1布线与所述内部布线之间分离；
半导体芯片，设置在所述第1面，并电连接在所述焊垫电极；以及
第1树脂，被覆所述半导体芯片。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊垫电极具有设置在焊垫电极上的金属镀覆膜，
所述第1布线是用来对所述焊垫电极表面的所述金属膜进行电镀处理的镀覆布线。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1布线为电性浮动状态。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述基板在所述第1布线与所述内部布线之间具有凹部，
所述第1布线在所述凹部内的切断面与所述绝缘物接触。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1布线设置在相比于所述第2面更靠所述第1面，
所述绝缘物为所述第1树脂。


6.一种半导体装置，具备：
基板，具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即侧面；
焊垫电极，设置在所述基板的第1面，且具有金属镀覆膜；

【专利技术属性】
技术研发人员：片冈忠，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP