【技术实现步骤摘要】
一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构及其封装方法，属于半导体封装
技术介绍
晶圆级芯片尺寸封装技术，可以满足封装短小轻薄、成本低等优点。但是完成封装后的芯片封装体，侧壁硅直接裸露在外界，在存在机械应力或者外界环境变化时，及易受损造成硅破裂。而且在封装过程中，主要还存在以下问题：1.需要进行包封料流动包封，在包封料流动和后固化过程中，往往会导致芯片偏移；2.在包覆过程中，因为芯片面向下，主要带来的问题是包封料因金属凸块的阻挡，难以均匀的覆盖芯片上表面。特别是当金属凸块间距较小时，更加明显；3.工艺导致翘曲较大，翘曲大会导致取片困难，出现无法吸附圆片问题，甚至有导致碎片的风险；4.芯片底部无保护，仅有一层背胶膜，在有机械应力的情况下，易受损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，针对芯片偏移、芯片表面包覆不均匀、翘曲等问题，提供了一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构及其封装方法。本专利技...
【技术保护点】
1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）尺寸小于芯片电极（113）尺寸，且露出芯片电极（113）的正面，/n其特征在于，所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ（310），且与钝化层开口（213）处设置介电层开口Ⅰ（311），所述介电层开口Ⅰ（311）的尺寸小于钝化层开口（213）的尺寸，所述介电层Ⅰ（310）的覆盖面积小于钝化层（210的面积并露出钝化层（210）的边缘...
【技术特征摘要】
1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）尺寸小于芯片电极（113）尺寸，且露出芯片电极（113）的正面，
其特征在于，所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ（310），且与钝化层开口（213）处设置介电层开口Ⅰ（311），所述介电层开口Ⅰ（311）的尺寸小于钝化层开口（213）的尺寸，所述介电层Ⅰ（310）的覆盖面积小于钝化层（210的面积并露出钝化层（210）的边缘，在所述介电层Ⅰ（310）上覆盖金属种子层Ⅰ（410），再在所述金属种子层Ⅰ（410）上覆盖再布线金属层（510）；
在所述再布线金属层（510）上覆盖介电层Ⅱ（320），且在所需位置处相应设置介电层开口Ⅱ（321），所述介电层Ⅱ（320）的侧面与介电层Ⅰ（310）的侧面齐平，在所述介电层Ⅱ开口（321）处依次设置金属种子层Ⅱ（420）和金属凸块（520），所述金属凸块（520）上设置焊球（600）；
还包括包覆层Ⅰ（123）和包覆层Ⅱ（132），所述包覆层Ⅰ（123）设置于硅基本体（111）的四周和背面，其上表面向上延展与介电层Ⅱ（320）的上表面齐平，所述包覆层Ⅱ（132）覆盖介电层Ⅱ（320）和包覆层Ⅰ（123）的上表面，其上表面与金属凸块（520）的上表面齐平。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述包覆层Ⅰ（123）与包覆层Ⅱ（132）是一体结构，将硅基本体（111）的六个面包覆其中。
3.一种包覆型芯片尺寸的封装结构的封装方法，包括如下步骤：
步骤一，提供一内含集成电路的晶圆（100），其上分布已完成电路制造的芯片，芯片上覆盖钝化层（210），且在芯片电极（113）处开设钝化层开口（213）并露出芯片电极（113），钝化层开口（213）的尺寸小于芯片电极（213）的尺寸；
步骤二，利用光刻工艺在晶圆表面设置介电层Ⅰ（310），并开设介电层Ⅰ开口Ⅰ（311）和介电层Ⅰ开口Ⅱ（312），其中，所述介电层Ⅰ开口Ⅰ（311）露出芯片电极（113）的正面，且介电层Ⅰ开口Ⅰ（311）的尺寸小于芯片电极（113）的尺寸，介电层Ⅰ开口Ⅱ（321）沿划片道设置，并露出钝化层（210）的上表面；
步骤三，利用物理气相沉积的方法在晶圆表面沉积金属种子层Ⅰ（410），再利用光刻和电镀工艺，设置再布线金属层（510）；
步骤四，再次利用光刻工艺，在圆片表面设置介电层Ⅱ（320），并开设介电层Ⅱ开口Ⅰ（321）和介电层Ⅱ开口Ⅱ（322），所述介电层Ⅱ开...
【专利技术属性】
技术研发人员：金豆，徐虹，徐霞，陈栋，张黎，赖志明，张国栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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