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实施方式提供一种能够抑制来自镀覆布线的腐蚀向内部布线前进的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备基板、焊垫电极、内部布线、第1布线、绝缘物、半导体芯片、及第1树脂。基板具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从第1面的端部向上升...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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