保护结构以及具有此保护结构的电子装置制造方法及图纸

一种保护结构包括辅助层以及硬质涂层。辅助层具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。硬质涂层位于辅助层的第二表面上。辅助层的杨氏模量由第二表面向第一表面渐近增加。另提供一种具有此保护结构的电子装置。

Protection structure and electronic device with this protection structure

【技术实现步骤摘要】
保护结构以及具有此保护结构的电子装置
本专利技术是有关于一种保护结构以及具有此保护结构的电子装置，且特别是有关于一种可挠性佳的保护结构以及具有此保护结构的电子装置。
技术介绍
随着科技日益发展，电子元件(例如是软性电子元件)常会于表面设置硬质涂层(hardcoatinglayer,HC)，以提升其抗刮能力。然而，当硬质涂层的厚度增加时，虽电子元件的抗刮能力可以提升，但会降低元件的可挠曲性。此外，现行硬质涂层结构经过多次反复折叠后会出现表面或边缘开裂(crack)现象，甚至会导致底部基材脱层等现象，尤其是当元件向外折叠时，硬质涂层需承受更大的应力，经过多次向外折叠更容易造成开裂现象。因此，如何克服上述的技术问题，便成为当前亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种保护结构及电子装置，可以提升抗刮能力又同时具有良好的可挠曲性，且也可减少电子装置经折叠(尤其是向外折叠)后材料开裂的现象，进而增加电子装置的使用寿命及可靠度。本专利技术一实施例的保护结构包括辅助层以及硬质涂层。辅助层具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。硬质涂层位于辅助层的第二表面上。辅助层的杨氏模量由第二表面向第一表面渐近增加。于一实施例中，所述辅助层包括掺杂无机材料的有机材料；所述硬质涂层包括有机材料。于一实施例中，所述辅助层的所述有机材料与所述硬质涂层的所述有机材料相同。于一实施例中，所述辅助层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分比所述第二部分远离所述硬质涂层，所述第一部分的厚度占所述辅助层的厚度的4/5至9/10；所述第二部分的厚度占所述辅助层的所述厚度的1/5至1/10。于一实施例中，所述第一部分的所述无机材料为10～60重量百分浓度。而所述第二部分的所述无机材料为0～20重量百分浓度。于一实施例中，所述第一部分的杨氏模量介于5至50GPa；而所述第二部分的杨氏模量介于3至20GPa。本专利技术一实施例的保护结构包括基材以及硬质涂层。硬质涂层位于基材上。硬质涂层具有靠近基材的第一表面及相对于第一表面的第二表面。硬质涂层的杨氏模量由第二表面向第一表面渐近增加。于一实施例中，所述硬质涂层包括掺杂无机材料的有机材料。于一实施例中，所述无机材料为纳米粒子，所述无机材料包括二氧化硅、氧化钛或氧化锆或其组合。于一实施例中，所述有机材料包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料，或前述材料的组合。于一实施例中，所述硬质涂层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分比所述第二部分靠近所述基材，所述第一部分的厚度占所述硬质涂层的厚度的4/5至9/10，所述第二部分的厚度占所述硬质涂层的所述厚度的1/5至1/10，所述第一部分的所述无机材料为10～60重量百分浓度，而所述第二部分的所述无机材料为0～20重量百分浓度。于一实施例中，所述第一部分的杨氏模量介于5至50GPa，而所述第二部分的杨氏模量介于3至20GPa。本专利技术一实施例的保护结构包括辅助层以及硬质涂层。辅助层具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。硬质涂层位于辅助层的第二表面上。辅助层的杨氏模量大于硬质涂层的杨氏模量，且辅助层与硬质涂层包括相同的主体材料。于一实施例中，所述辅助层包括掺杂无机材料的有机材料，所述硬质涂层包括有机材料，且所述辅助层的所述有机材料与所述硬质涂层的所述有机材料相同。于一实施例中，所述无机材料为纳米粒子，纳米粒子包括二氧化硅、氧化钛或氧化锆或其组合。于一实施例中，保护结构更包括：基材，设置于所述辅助层的所述第一表面，且所述基材的杨氏模量小于所述硬质涂层的杨氏模量；以及光学结构层，其中所述基材位于所述辅助层及所述光学结构层之间。于一实施例中，更包括光学结构层，所述基材夹于所述硬质涂层与所述光学结构层之间，且所述基材的杨氏模量小于所述硬质涂层的杨氏模量。本专利技术实施例的电子装置包括上述的任一保护结构以及电子元件。于一实施例中，电子元件，设置于所述辅助层的所述第一表面。于一实施例中，所述基材夹于所述硬质涂层与所述电子元件之间。于一实施例中，电子元件，设置于所述光学结构层远离所述基材的表面上。基于上述，具有本专利技术实施例的保护结构的电子装置可以提升其抗刮能力又同时具有良好的可挠曲性，且也可减少电子装置经折叠后尤其是向外折叠材料开裂的现象，进而增加电子装置的使用寿命及可靠度。为让本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A、图1B、图2A、图2B、图3A以及图3B为依据本专利技术一些实施例的保护结构的剖面示意图。图1C、图1D、图2C、图2D、图3C以及图3D为依据本专利技术一些实施例的电子装置的剖面示意图。图1E是图1A的保护结构中厚度方向与杨氏模量的关系图。其中，附图标记：100a、100b、200a、200b、300a、300b：保护结构100c、100d、200c、200d、300c、300d、F、G、H、I：电子装置110、310：辅助层120、220：硬质涂层130：基材140：光学结构层150：电子元件A、A’、B、B’、C、D、E、J：堆叠结构T1、T2、T3、T4、T5、TA、TC、TE：厚度P1、P3：第一部分P2、P4：第二部分S1、S2、S5、S6、S7、S8：表面S3：顶面S4：底面具体实施方式本说明书以下的公开内容提供不同的实施例或范例，以实施本专利技术各种不同实施例的不同特征。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。另外，本专利技术的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构的关系。再者，若是本说明书以下的公开内容叙述了将第一特征形成于第二特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，也包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本说明书中所称的浓度，若未特别提及可以代表重量百分浓度(wt％)或体积百分浓度(vol％)。所绘图式中的元件尺寸是为说明方便而绘制，并非代表其实际的元件尺寸比例。请参考图1A，保护结构100a包括辅助层110以及位于辅助层110上的硬质涂层120。辅助层110可为具抗刮作用的抗刮辅助层；而硬质涂层120可为具保护作用的抗应力层。具体来说，辅助层110具有第一表面S1及相对于第一表面S1的第二表面S2。硬质涂层120具有顶面S3及相对于顶面S3的底面S4。硬质涂层120位于辅助层110的第二表面S2上。在一些实施例中，硬质涂层120的底面S4与辅助层110的第二表面S2直接接触。在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护结构，其特征在于，包括：/n辅助层，具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面；以及/n硬质涂层，位于所述辅助层的所述第二表面上，/n其中所述辅助层的杨氏模量由所述第二表面向所述第一表面渐近增加。/n

【技术特征摘要】
20181227 TW 107147449;20180810 US 62/717,0011.一种保护结构，其特征在于，包括：
辅助层，具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面；以及
硬质涂层，位于所述辅助层的所述第二表面上，
其中所述辅助层的杨氏模量由所述第二表面向所述第一表面渐近增加。


2.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层包括掺杂无机材料的有机材料；所述硬质涂层包括有机材料。


3.如权利要求2所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层的所述有机材料与所述硬质涂层的所述有机材料相同。


4.如权利要求2所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分比所述第二部分远离所述硬质涂层，所述第一部分的厚度占所述辅助层的厚度的4/5至9/10，所述第二部分的厚度占所述辅助层的所述厚度的1/5至1/10。


5.如权利要求4所述的保护结构，其特征在于，所述第一部分的所述无机材料为10～60重量百分浓度，而所述第二部分的所述无机材料为0～20重量百分浓度。


6.如权利要求4所述的保护结构，其特征在于，所述第一部分的杨氏模量介于5至50GPa；而所述第二部分的杨氏模量介于3至20GPa。


7.一种保护结构，其特征在于，包括：
基材；以及
硬质涂层，位于所述基材上，其中所述硬质涂层具有靠近所述基材的第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述硬质涂层的杨氏模量由所述第二表面向所述第一表面渐近增加。


8.如权利要求7所述的保护结构，其特征在于，所述硬质涂层包括掺杂无机材料的有机材料。


9.如权利要求8所述的保护结构，其特征在于，所述无机材料为纳米粒子，所述无机材料包括二氧化硅、氧化钛或氧化锆或其组合。


10.如权利要求8所述的保护结构，其特征在于，所述有机材料包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料，或前述材料的组合。


11.如权利要求8所述的保护结构，其特征在于，所述硬质涂层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分比所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶永辉，庄瑞彰，王丽菁，张正岳，吕奇明，陈世明，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71